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1. (WO2014192590) SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192590    International Application No.:    PCT/JP2014/063327
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 20.05.2014
Chapter 2 Demand Filed:    01.12.2014    
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 7/04 (2006.01)
Applicants: YUGENKAISHA SUCCESS [JP/JP]; 2035-12, Yamazaki, Noda-shi, Chiba 2780022 (JP)
Inventors: SAKAI Shinsuke; (JP)
Agent: MAEI Hiroyuki; 6th Floor Kotera Plaza, 2-5-23 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Priority Data:
2013-114286 30.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE POLISSAGE DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer polishing device (1) is provided with: a polishing wheel (10); a first driving means (20) that rotationally drives the polishing wheel; a wafer support tool (30); and a second driving means (40) that rotationally drives the wafer support tool. The polishing wheel is provided with a plurality of grindstones (13) on the principal surface that faces the wafer support tool. The wafer support tool supports the semiconductor wafer so that the polishing surface of the semiconductor wafer faces the principal surface of the polishing wheel. Each of the grindstones is formed to radially extend from the center of the polishing wheel and to intersect the polishing surface of the semiconductor wafer. The present invention polishes the surface to be polished of the semiconductor wafer by means of the plurality of grindstones while rotating the polishing wheel and the wafer support tool.
(FR)L'invention concerne un dispositif de polissage de plaquette de semi-conducteur (1) pourvu : d'un disque de polissage (10) ; d'un premier moyen d'entraînement (20) entraînant le disque de polissage en rotation ; d'un outil de support de plaquette (30) ; et d'un second moyen d'entraînement (40) entraînant l'outil de support de plaquette en rotation. Le disque de polissage est pourvu d'une pluralité de meules (13) sur la surface principale tournée vers l'outil de support de plaquette. L'outil de support de plaquette porte la plaquette de semi-conducteur de telle manière que la surface de polissage de la plaquette de semi-conducteur est tournée vers la surface principale du disque de polissage. Chacune des meules est formée de manière à s'étendre radialement à partir du centre du disque de polissage et à croiser la surface de la plaquette de semi-conducteur. La présente invention polit la surface à polir de la plaquette de semi-conducteur au moyen de la pluralité de meules, tout en faisant tourner le disque de polissage et l'outil de support de plaquette.
(JA)半導体ウエハ研削装置(1)は、研削ホイール(10)と、研削ホイールを回転駆動する第1駆動手段(20)と、ウエハ支持具(30)と、ウエハ支持具を回転駆動する第2駆動手段(40)とを備える。研削ホイールは、ウエハ支持具に対向する主面(11b)に設けられた複数の砥石(13)を備える。ウエハ支持具は、半導体ウエハの被研削面が研削ホイールの主面に対向するように半導体ウエハを支持する。複数の砥石の各々は、研削ホイールの中心から放射状に延びるとともに、半導体ウエハの被研削面を横断するように形成されている。研削ホイールとウエハ支持具とを回転させながら複数の砥石によって半導体ウエハの被研削面を研削する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)