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1. (WO2014192518) EXPOSURE LIGHT SOURCE, MASK DESIGN METHOD AND PROGRAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192518    International Application No.:    PCT/JP2014/062514
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
G03F 1/36 (2012.01), G03F 1/70 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US).
IBM JAPAN, LTD. [JP/JP]; 19-21, Nihonbashi Hakozakicho, Chuo-ku, Tokyo 1038510 (JP) (MG only)
Inventors: INOUE Tadanobu; (JP).
MELVILLE David Ozmond; (US).
ROSENBLUTH Alan E.; (US).
SAKAMOTO Masaharu; (JP).
TIAN Kehan; (US)
Agent: UENO Takeshi; c/o IBM Japan, Ltd., 19-21, Nihonbashi Hakozaki-cho, Chuo-ku, Tokyo 1038510 (JP)
Priority Data:
2013-110534 27.05.2013 JP
Title (EN) EXPOSURE LIGHT SOURCE, MASK DESIGN METHOD AND PROGRAM
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE D'EXPOSITION, PROCÉDÉ ET PROGRAMME DE CONCEPTION DE MASQUE
(JA) 露光用光源およびマスクの設計方法、プログラム
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method of optimizing (designing) a light source and a mask pattern which can be used for different purposes as necessary, wherein the cooperative relation between OPC and SMO is fully realized. [Solution] This method of designing a exposure light source and a mask involves: a step (S1) for selecting a prescribed pattern group; a step (S2) for performing source mask optimization (SMO) using the prescribed pattern group, wherein the SMO is performed under OPC limiting rules which selectively limit shifting of the edge positions of polygons when applying optical proximity correction (OPC) to the prescribed pattern group; and a step (S3, S4) for using the light source optimized by SMO and applying OPC to the entire exposure mask pattern to determine a layout of the exposure mask.
(FR)L'invention concerne un procédé d'optimisation (conception) d'une source de lumière et un motif de masque qui peuvent être utilisés pour des objectifs différents le cas échéant, la relation de coopération entre l'OPC et la SMO étant totalement remplie. Pour ce faire, le procédé de l'invention de conception d'une source de lumière d'exposition et d'un masque implique : une étape (S1) de sélection d'un groupe de motifs prescrits; une étape (S2) de réalisation d'une optimisation de masque de source SMO à l'aide du groupe de motifs prescrits, la SMO étant effectuée selon des règles de limitation de l'OPC qui limitent sélectivement le décalage des positions de bord de polygones lors de l'application d'une correction de proximité optique (OPC) au groupe de motifs prescrits; et une étape (S3, S4) d'utilisation de la source de lumière optimisée par la SMO et d'application de l'OPC à la totalité du motif de masque d'exposition afin de déterminer une configuration du masque d'exposition.
(JA)OPCとSMOの協業関係が十分に発揮され、光源および適宜使い分けられたマスクパターンの最適化(設計)方法を提供する。 【解決手段】 本発明の露光用光源およびマスクを設計する方法は、所定のパターン群を選択するステップS1と、所定のパターン群を用いて光源マスク最適化(SMO)を実施するステップS2であって、所定のパターン群に対して光近接効果補正(OPC)を適用する際のポリゴンのエッジ位置のシフトを選択的に制限したOPC制限ルール下でSMOを実施するステップS2と、SMOにより最適化された光源を用いて、露光用マスクのパターン全体に対してOPCを適用して露光用マスクのレイアウトを決定するステップS3、S4と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)