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1. (WO2014192428) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192428    International Application No.:    PCT/JP2014/060240
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 09.04.2014
IPC:
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
Inventors: MIYOSHI,Kohei; (JP).
TSUKIHARA,Masashi; (JP).
TAKEUCHI,Tetsuya; (JP)
Agent: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2013-115796 31.05.2013 JP
2013-157290 30.07.2013 JP
2013-163640 06.08.2013 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CE DERNIER
(JA) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a nitride semiconductor light emitting element having contact characteristics comparable to conventional ride semiconductor light emitting elements, without using contact electrodes formed from the materials ITO or Ni. This nitride semiconductor light emitting element has a light emitting layer between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer, and has a first contact layer contacting the p-type nitride semiconductor layer, and constituted by a nitride semiconductor layer doped with a first impurity material to a higher concentration than the p-type nitride semiconductor layer, and a second contact layer contacting the first contact layer, and composed of AlXGaYInXN (0≦X≦1, 0≦Y≦1, 0≦Z≦1, X+Y+Z=1) doped with any one or more second impurity material selected from Zn, Cd, Be, Sr, Ca, and C.
(FR) L’invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure ayant des caractéristiques de contact comparables à celles d'éléments émetteurs de lumière à semi-conducteurs au nitrure conventionnels, sans utiliser des électrodes de contact formées à partir des matériaux ITO ou Ni. Cet élément émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure possède une couche émettrice de lumière entre une couche de semi-conducteur au nitrure de type n et une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, et possède une première couche de contact en contact avec la couche de semi-conducteur au nitrure de type p, et constituée par une couche de semi-conducteur au nitrure dopée avec un premier matériau à impuretés à une concentration supérieure à celle de la couche de semi-conducteur au nitrure de type p, et une seconde couche de contact en contact avec la première couche de contact, et composée de AlXGaYInXN (0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ Z ≤ 1, X + Y + Z = 1) dopé avec un ou plusieurs seconds matériaux à impuretés quelconques sélectionnés parmi Zn, Cd, Be, Sr, Ca et C.
(JA) ITOやNiといった材料で形成されるコンタクト電極を用いることなく、従来の窒化物半導体発光素子と同等のコンタクト特性を有する窒化物半導体発光素子を実現する。 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、p型窒化物半導体層に接触して、p型窒化物半導体層よりも高濃度で第1不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第1コンタクト層と、第1コンタクト層に接触して、Zn、Cd、Be、Sr、Ca及びCのいずれか1種以上の第2不純物材料がドープされた、AlGaInN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で構成された第2コンタクト層を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)