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1. (WO2014192118) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192118    International Application No.:    PCT/JP2013/065064
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 30.05.2013
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SAKAI, Yasuhiro; (JP).
KITAMURA, Shuichi; (JP)
Agent: TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with a first semiconductor chip, a second semiconductor chip, and a main electrode which is electrically connected to the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. The main electrode is provided with a first electrode section having one end that is electrically connected to the first semiconductor chip, a second electrode section having one end that is electrically connected to the second semiconductor chip, a connection section that connects the other end of the first electrode section and the other end of the second electrode section, a body section connected to the connection section, and an external connection section connected to a portion of the body section on the first electrode section side. The inductance of a current path from the one end of the first electrode section to the external connection section is larger than the inductance of a current path from the one end of the second electrode section to the external connection section when the effect of a magnetic field from the body section is eliminated.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, comprenant une première puce semi-conductrice, une seconde puce semi-conductrice, et une électrode principale qui est connectée électriquement à la première puce semi-conductrice et à la seconde puce semi-conductrice. L'électrode principale comprend : une première section d'électrode ayant une extrémité qui est connectée électriquement à la première puce semi-conductrice ; une seconde section d'électrode ayant une extrémité qui est connectée électriquement à la seconde puce semi-conductrice ; une section de connexion qui connecte l'autre extrémité de la première section d'électrode et l'autre extrémité de la seconde section d'électrode ; une section corps connectée à la section de connexion ; et une section de connexion externe connectée à une partie de la section corps sur le côté première section d'électrode. L'inductance d'un chemin de courant entre ladite extrémité de la première section d'électrode et la section de connexion externe est plus grande que l'inductance d'un chemin de courant entre ladite extrémité de la seconde section d'électrode et la section de connexion externe lorsque l'effet d'un champ magnétique provenant de la section corps est éliminé.
(JA) 第1半導体チップと、第2半導体チップと、該第1半導体チップと該第2半導体チップに電気的に接続された主電極と、を備える。該主電極は、一端が該第1半導体チップと電気的に接続された第1電極部と、一端が該第2半導体チップと電気的に接続された第2電極部と、該第1電極部の他端と該第2電極部の他端を接続する連結部と、該連結部と接続された本体部と、該本体部の該第1電極部側の部分と接続された外部接続部と、を備え、該本体部からの磁界の影響を排除したときの、該第1電極部の一端から該外部接続部までの電流経路のインダクタンスは、該第2電極部の一端から該外部接続部までの電流経路のインダクタンスより大きい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)