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Pub. No.: WO/2014/191474 International Application No.: PCT/EP2014/061096
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
C03C 17/36 (2006.01)
Applicants: AGC GLASS EUROPE[BE/BE]; Avenue Jean Monnet, 4 B-1348 Louvain-La-Neuve, BE
Inventors: MAHIEU, Stijn; BE
BAUDOUIN, Anne-Christine; BE
DEPAUW, Jean-Michel; BE
Agent: LARANGÉ, Françoise; AGC Glass Europe Technovation Center IP Department Rue Louis Blériot, 12 B-6041 Gosselies, BE
Priority Data:
BE 2013/038530.05.2013BE
(EN) The invention relates to low-emissivity and anti-solar glazing systems that change only very little in properties when they are subjected to a heat treatment. They comprise a stack of thin layers comprising an alternating arrangement of n infrared radiation reflecting functional layers and n + 1 dielectric coatings, and a barrier layer directly superposed on the last functional layer furthest away from the substrate, characterised in that: (i) the first dielectric coating closest to the substrate comprises a layer made from an oxide, in direct contact with the substrate, (ii) the internal dielectric coating or coatings surrounded by two functional layers comprise a layer made from a silicon nitride or a silicon oxide with a thickness greater than 5 nm surrounded on both sides by layers made from an oxide other than silicon oxide with thicknesses greater than 5 nm, (iii) the barrier layer is based on zinc oxide or consists of an indium oxide possibly doped with tin, and (iv) the last dielectric coating furthest away from the substrate comprises, in order starting from the substrate: a layer made from an oxide other than silicon oxide with a thickness greater than 3 nm and a layer made from a silicon nitride or a silicon oxide with a thickness greater than 10 nm.
(FR) La présente invention concerne des systèmes de vitrage faiblement émissif et antisolaire dont les propriétés ne changent que très légèrement lorsqu'ils sont soumis à un traitement thermique. Ils comprennent une pile de couches minces comprenant un agencement alterné de n couches fonctionnelles réfléchissant le rayonnement infrarouge et de n + 1 revêtements diélectriques, et une couche barrière superposée directement à la dernière couche fonctionnelle la plus éloignée du substrat. Lesdits systèmes sont caractérisés en ce que : (i) le premier revêtement diélectrique le plus près du substrat comprend une couche faite d'un oxyde, en contact direct avec le substrat, (ii) le revêtement ou les revêtements diélectriques internes entourés par deux couches fonctionnelles comprennent une couche faite d'un nitrure de silicium ou d'un oxyde de silicium dont l'épaisseur est supérieure à 5 nm entourée sur les deux côtés par des couches faites d'un oxyde autre que l'oxyde de silicium dont les épaisseurs sont supérieures à 5 nm, (iii) la couche barrière est basée sur l'oxyde de zinc ou consiste en un oxyde d'indium éventuellement dopé avec de l'étain, et (iv) le dernier revêtement diélectrique le plus éloigné du substrat comprend, dans cet ordre en commençant par le substrat : une couche faite d'un oxyde autre que l'oxyde de silicium dont l'épaisseur est supérieure à 3 nm et une couche faite d'un nitrure de silicium ou d'un oxyde de silicium dont l'épaisseur est supérieure à 10 nm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)