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1. (WO2014191472) LOW-EMISSIVITY GLAZING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/191472    International Application No.:    PCT/EP2014/061093
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
IPC:
C03C 17/36 (2006.01)
Applicants: AGC GLASS EUROPE [BE/BE]; Avenue Jean Monnet, 4 B-1348 Louvain-La-Neuve (BE)
Inventors: BAUDOUIN, Anne-Christine; (BE).
MAHIEU, Stijn; (BE).
DEPAUW, Jean-Michel; (BE).
PURWINS, Michael; (DE).
MATHIEU, Eric; (FR).
WEIS, Hansjoerg; (DE).
MÖNNEKES, Jörg; (DE)
Agent: LARANGÉ, Françoise; (BE)
Priority Data:
BE 2013/0384 30.05.2013 BE
Title (EN) LOW-EMISSIVITY GLAZING
(FR) VITRAGE À FAIBLE ÉMISSIVITÉ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to low-emissivity glazing units that are capable of undergoing a heat treatment and only change very little in properties when they are subjected to such a heat treatment. They comprise a transparent substrate provided with a stack of thin layers of the type: first dielectric coating / infrared radiation reflecting functional layer / barrier layer / second dielectric coating. They are characterised by a first dielectric coating comprising a layer made from an oxide, in direct contact with the substrate, by a barrier layer based on zinc oxide or consisting of an indium oxide possibly doped with tin, and by a second dielectric coating comprising, in order, a layer made from an oxide other than silicon oxide with a thickness greater than 5 nm and a layer made from a silicon nitride or a silicon oxide with a thickness greater than 10 nm.
(FR)La présente invention concerne des unités de vitrage à faible émissivité capables de supporter un traitement thermique moyennant une très faible modification de leurs propriétés lorsqu'elles sont soumises audit traitement thermique. Elles comprennent un substrat transparent comportant un empilement de couches minces de type : premier revêtement diélectrique/couche fonctionnelle réfléchissant le rayonnement infrarouge/couche barrière/second revêtement diélectrique. Elles sont caractérisées par la présence d'un premier revêtement diélectrique comprenant une couche constituée d'un oxyde, en contact direct avec le substrat, d'une couche barrière à base d'oxyde de zinc ou constituée d'oxyde d'indium éventuellement dopé à l'étain, et d'un second revêtement diélectrique comportant, dans l'ordre, une couche à base d'un oxyde autre qu'un oxyde de silicium et d'une épaisseur supérieure à 5 nm, et une couche constituée d'un nitrure de silicium ou d'un oxyde de silicium et d'une épaisseur supérieure à 10 nm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)