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1. (WO2014190890) COMPOSITE SUBSTRATE HAVING ISOLATION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/190890    International Application No.:    PCT/CN2014/078482
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 27.05.2014
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF PHYSICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.8, Zhong Guan Cun Nan San Street, Haidian District Beijing 100190 (CN)
Inventors: CHEN, Hong; (CN).
JIA, Haiqiang; (CN).
JIANG, Yang; (CN).
DAI, Longgui; (CN).
WANG, Wenxin; (CN).
MA, Ziguang; (CN).
WANG, Lu; (CN).
LI, Wei; (CN)
Agent: PANAWELL & PARTNERS, LLC; 1002-1005, China Life Tower 16 Chao Yang Men Wai Street, Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Priority Data:
201310201293.5 27.05.2013 CN
Title (EN) COMPOSITE SUBSTRATE HAVING ISOLATION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE COMPORTANT UNE COUCHE D'ISOLATION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a manufacturing method of a composite substrate having an isolation layer, the method comprising: forming on a substrate (1) a first sub isolation layer (1) having an opening (21) exposing the substrate (1); utilizing a lateral growth method to form a seed layer (3) made of a semiconductor material thin film on the first sub isolation layer (2) and the substrate (1); selectively etching the seed layer (3), leaving a part of the seed layer (3) as a seed region (31) on the first sub isolation layer (2); forming a second sub isolation layer (201) covering the substrate (1), the first sub isolation layer (2), and the seed region (31); forming an opening in the second sub isolation layer (201), the opening exposing at least a part of the seed region (31); and using at least a part of the seed region (31) as a seed to grow a semiconductor layer (301) on the second sub isolation layer (201) by employing the lateral growth method.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite comportant une couche d'isolation, le procédé consistant à : former, sur un substrat (1), une première sous-couche d'isolation (2) comportant une ouverture (21) exposant le substrat (1); utiliser un procédé de croissance latérale pour former une couche d'ensemencement (3) constituée d'un film mince de matériau semi-conducteur sur la première sous-couche d'isolation (2) et sur le substrat (1); attaquer chimiquement la couche d'ensemencement (3) de manière sélective, en laissant une partie de la couche d'ensemencement (3) en tant que région d'ensemencement (31) sur la première sous-couche d'isolation (2); former une seconde sous-couche d'isolation (201) recouvrant le substrat (1), la première sous-couche d'isolation (2) et la région d'ensemencement (31); former une ouverture dans la seconde sous-couche d'isolation (201), l'ouverture exposant au moins une partie de la région d'ensemencement (31); et utiliser au moins une partie de la région d'ensemencement (31) en tant que partie d'ensemencement pour la croissance d'une couche semi-conductrice (301) sur la seconde sous-couche d'isolation (201) par l'emploi du procédé de croissance latérale.
(ZH)提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法,包括:在基底(1)上形成具有露出该基底(1)的开口(21)的第一子隔离层(1);利用横向生长法在第一子隔离层(2)和基底(1)上形成半导体材料薄膜构成的种子层(3);选择性刻蚀种子层(3),留下第一子隔离层(2)上的一部分种子层(3)作为种子区(31);形成覆盖基底(1)、第一子隔离层(2)和种子区(31)的第二子隔离层(201);在第二子隔离层(201)中形成开口,该开口暴露出所述种子区(31)的至少一部分;以所述种子区(31)的至少一部分作为种子,利用横向生长法在第二子隔离层(201)上生长出半导体层(301)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)