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1. (WO2014189681) STABLE HIGH MOBILITY MOTFT AND FABRICATION AT LOW TEMPERATURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/189681    International Application No.:    PCT/US2014/037191
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 07.05.2014
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: CBRITE INC. [US/US]; 421 Pine Ave. Goleta, CA 93117-3709 (US)
Inventors: SHIEH, Chan-long; (US).
YU, Gang; (US).
FOONG, Fatt; (US).
MUSOLF, Juergen; (US)
Agent: PARSONS, Robert, A.; (US)
Priority Data:
13/902,514 24.05.2013 US
Title (EN) STABLE HIGH MOBILITY MOTFT AND FABRICATION AT LOW TEMPERATURE
(FR) MOTFT STABLE À MOBILITÉ ÉLEVÉE ET FABRICATION À BASSE TEMPÉRATURE
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a stable high mobility amorphous MOTFT includes a step of providing a substrate with a gate formed thereon and a gate dielectric layer positioned over the gate. A carrier transport structure is deposited by sputtering on the gate dielectric layer. The carrier transport structure includes a layer of amorphous high mobility metal oxide adjacent the gate dielectric and a relatively inert protective layer of material deposited on the layer of amorphous high mobility metal oxide both deposited without oxygen and in situ. The layer of amorphous metal oxide has a mobility above 40 cm2/Vs and a carrier concentration in a range of approximately 1018cm-3 to approximately 5xl019cm-3. Source/drain contacts are positioned on the protective layer and in electrical contact therewith.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un MOTFT amorphe, stable à mobilité élevée, qui comprend une étape de fourniture d'un substrat avec une grille formée sur celui-ci et une couche diélectrique de grille positionnée au-dessus de la grille. Une structure de transport de porteurs est déposée par pulvérisation sur la couche diélectrique de grille. La structure de transport de porteurs comprend une couche d'un oxyde métallique amorphe à mobilité élevée adjacente à la couche diélectrique de grille et couche protectrice relativement inerte de matière déposée sur la couche d'oxyde métallique amorphe à mobilité élevée, les deux étant déposées sans oxygène et in situ. La couche d'oxyde métallique amorphe présente une mobilité supérieure à 40 cm2/Vs et une concentration de porteurs dans une plage d'environ 1018cm-3 à environ 5x1019cm-3. Les contacts source/drain sont placés sur la couche protectrice et en contact électrique avec celle-ci.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)