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1. (WO2014189650) SHOWERHEAD APPARATUS FOR A LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/189650    International Application No.:    PCT/US2014/035812
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 29.04.2014
IPC:
C23C 16/00 (2006.01)
Applicants: SINGULUS TECHNOLOGIES MOCVD, INC. [US/US]; 429-D Hayden Station Road Windsor, CT 06095 (US)
Inventors: SFERLAZZO, Piero; (US).
STUCKY, Dennis, R.; (US).
FABIANO, Paul, Thomas; (US).
SIMONELLI, Darren, M.; (US).
FARRELL, Matthew, C.; (US).
COUILLIARD, Robert, P.; (US)
Agent: GUERIN, William, G.; Schmeiser, Olsen & Watts LLP 5 Mount Royal Avenue Mount Royal Office Park Marlborough, MA 01752 (US)
Priority Data:
13/900,028 22.05.2013 US
Title (EN) SHOWERHEAD APPARATUS FOR A LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) APPAREIL A POMME DE DOUCHE POUR SYSTEME DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DISCONTINU LINEAIRE
Abstract: front page image
(EN)A showerhead apparatus for a linear batch CVD system includes a movable showerhead, one or more gas supply conduits, and a translation mechanism. Each gas supply conduit provides a precursor gas to the showerhead. The showerhead includes conduits and channels arranged along the length of the showerhead to distribute precursor gas to the surfaces of substrates. The small distance between the substrates and the showerhead limits precursor gas flows from the channels to a small portion of each substrate beneath the showerhead. During a deposition process run, the translation mechanism causes the showerhead to move back and forth over the substrates along a direction perpendicular to a linear arrangement of the substrates. Parasitic deposition within the deposition chamber is substantially reduced in comparison to conventional showerhead apparatus. The ability to accurately control the precursor gas flows and the motion of the showerhead allows for improved thickness uniformity and device yield.
(FR)L'invention porte sur un appareil à pomme de douche pour un système de CVD en discontinu linéaire, comprenant une pomme de douche mobile, un ou plusieurs conduits d'apport de gaz et un mécanisme de translation. Chaque conduit d'apport de gaz fournit un gaz précurseur à la pomme de douche. La pomme de douche comprend des conduits et des canaux disposés sur la longueur de la pomme de douche pour distribuer du gaz précurseur aux surfaces de substrats. La petite distance entre les substrats et la pomme de douche limite l'écoulement de gaz précurseur des canaux à une petite partie de chaque substrat sous la pomme de douche. Pendant un lot du processus de dépôt, le mécanisme de translation provoque un mouvement de va-et-vient de la pomme de douche sur les substrats le long d'une direction perpendiculaire à un agencement linéaire des substrats. Un dépôt parasite au sein de la chambre de dépôt est en grande partie réduit par comparaison avec un appareil à pomme de douche classique. La capacité de régler avec précision les débits de gaz précurseur et le déplacement de la pomme de douche permet une uniformité d'épaisseur améliorée et un rendement de dispositif amélioré.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)