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1. (WO2014188983) OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND FORMATION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188983    International Application No.:    PCT/JP2014/063139
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 13.05.2014
IPC:
H01L 21/363 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/477 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2013-106735 21.05.2013 JP
Title (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND FORMATION METHOD THEREOF
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abstract: front page image
(EN)To provide a crystalline oxide semiconductor film. By collision of ions with a target including a crystalline In-Ga-Zn oxide, a flat-plate-like In-Ga-Zn oxide is separated. In the flat-plate-like In-Ga-Zn oxide, a first layer including a gallium atom, a zinc atom, and an oxygen atom, a second layer including a zinc atom and an oxygen atom, a third layer including an indium atom and an oxygen atom, and a fourth layer including a gallium atom, a zinc atom, and an oxygen atom are stacked in this order. After the flat-plate-like In-Ga-Zn oxide is deposited over a substrate while maintaining the crystallinity, the second layer is gasified and exhausted.
(FR)La présente invention concerne la fourniture d'un film semi-conducteur d'oxyde cristallin. Grâce à la collision d'ions avec une cible comprenant un oxyde d'In-Ga-Zn cristallin, un oxyde d'In-Ga-Zn de type plaque plate est séparé. Dans l'oxyde d'In-Ga-Zn de type plaque plate, une première couche comprenant un atome de gallium, un atome de zinc et un atome d'oxygène, une deuxième couche comprenant un atome de zinc et un atome d'oxygène, une troisième couche comprenant un atome d'indium et un atome d'oxygène et une quatrième couche comprenant un atome de gallium, un atome de zinc et un atome d'oxygène sont superposées dans cet ordre. Après le dépôt de l'oxyde d'In-Ga-Zn de type plaque plate sur un substrat tout en conservant la cristallinité, la deuxième couche est gazéifiée et épuisée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)