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1. (WO2014188926) COMPOSITION FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188926    International Application No.:    PCT/JP2014/062821
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 14.05.2014
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C08L 33/26 (2006.01), C08L 39/06 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventors: DOI Toshihiro; (JP).
SAKURAI Hideaki; (JP).
SOYAMA Nobuyuki; (JP)
Priority Data:
2013-105780 20.05.2013 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE MINCE FERROÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 強誘電体薄膜形成用組成物とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a composition for forming a ferroelectric thin film in which the Young's modulus for film formation is adjusted during a calcining step and a firing step, said composition being capable of yielding a high-crystallinity thin film having substantially no incidence of cracking during firing even at a coating film thickness obtained in a single cycle, allowing the number of coating films to be reduced and the manufacturing efficiency of the coating film to be increased. Further provided is a method for manufacturing said composition. The composition for forming a ferroelectric thin film contains a precursor for a ferroelectric thin film, a solvent, and a reaction-controlling substance, and yields a ferroelectric thin film by calcining and firing of a coating film, wherein the composition is characterized in that the reaction-controlling substance content is an amount for which the Young's modulus for film formation in a calcining stage at 200-300°C is no greater than 42 Gpa and the Young's modulus for film formation in a firing stage at 400-500°C is at least 55 Gpa. Using said composition makes it possible to form a high-crystallinity thin film in which there is substantially no incidence of cracking during firing even at the coating film thickness obtained in a single cycle.
(FR)La présente invention concerne une composition de formation d'une couche mince ferroélectrique pour laquelle le module de Young de formation de couche est réglé pendant une étape de calcination et une étape de cuisson, ladite composition pouvant donner une couche mince à cristallinité élevée n'ayant sensiblement pas d'incidence de craquelage pendant la cuisson même au niveau d'une épaisseur de la couche de revêtement obtenue en un seul cycle, permettre une réduction du nombre de couches de revêtement et une augmentation du rendement de fabrication de la couche de revêtement. L'invention concerne également un procédé de fabrication de ladite composition. La composition de formation d'une couche mince ferroélectrique contient un précurseur de couche mince ferromagnétique, un solvant et une substance de commande de réaction, et donne une couche mince ferroélectrique par calcination et cuisson d'une couche de revêtement, la composition étant caractérisée en ce que la teneur en substance de commande de réaction est une quantité pour laquelle le module de Young de formation de couche d'une étape de calcination à une température entre 200 et 300 °C est inférieur ou égal à 42 Gpa et le module de Young de formation de couche d'une étape de cuisson à une température entre 400 et 500 °C est supérieur ou égal à 55 Gpa. Le fait d'utiliser ladite composition rend possible la formation d'une couche mince à cristallinité élevée pour laquelle il n'y a sensiblement pas d'incidence de craquelage durant la cuisson même au niveau de l'épaisseur de couche de revêtement obtenue en un seul cycle.
(JA) 仮焼工程および焼成工程を通じて成膜のヤング率を調整し、一回あたりの塗膜が厚くても焼成時にクラックが殆ど発生せずに結晶性の高い薄膜を得ることができ、従って塗膜回数を少なくして薄膜の製造効率を高めることができる強誘電体薄膜形成用組成物とその製造方法を提供する。 強誘電体薄膜の前駆体、溶媒、および反応制御物質を含み、塗膜の仮焼および焼成によって強誘電体薄膜が形成される組成物であり、上記反応制御物質の含有量が200℃~300℃の仮焼段階における成膜のヤング率が42GPa以下であって400℃~500℃の焼成段階における成膜のヤング率が55GPa以上になる量であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用組成物を用いることによって、一回あたりの塗膜が厚くても焼成時にクラックが殆ど発生せずに結晶性の高い薄膜を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)