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1. (WO2014188918) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188918    International Application No.:    PCT/JP2014/062783
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 14.05.2014
Chapter 2 Demand Filed:    13.11.2014    
IPC:
H01B 5/14 (2006.01), B32B 15/08 (2006.01), G06F 3/041 (2006.01), G06F 3/044 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: KATAGIRI Kensuke; (JP).
TAJIRI Shin; (JP).
HASE Akihiko; (JP)
Agent: CHIBA Yoshihiro; Shinjuku Maynds Tower 16F, 1-1, Yoyogi 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510053 (JP)
Priority Data:
2013-110402 24.05.2013 JP
2014-045684 07.03.2014 JP
Title (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a transparent conductive film and a method for producing a transparent conductive film. This transparent conductive film (10) comprises a transparent base (12) and a metal wiring part (14) that is formed on the transparent base (12), and a metal thin wire (24) that constitutes an electrode part (18) of the metal wiring part (14) has a surface configuration that satisfies Ra2/Sm > 0.01 μm and has a metal volume ratio of 35% or more. In this connection, Ra represents the arithmetic mean roughness that is not more than the thickness of the metal wiring at the measurement point of the surface roughness, and the unit thereof is μm; and Sm represents the mean spacing of profile irregularities, which is not less than 0.01 μm.
(FR)La présente invention porte sur un film conducteur transparent et sur un procédé pour fabriquer un film conducteur transparent. Ce film conducteur transparent (10) comprend une base transparente (12) et une partie de câblage métallique (14) qui est formée sur la base transparente (12), et un fil mince métallique (24) qui constitue une partie d'électrode (18) de la partie de câblage métallique (14) possède une configuration de surface qui satisfait Ra2/Sm > 0,01 µm et possède un taux de volume métallique de 35 % ou plus. Dans cette connexion, Ra représente la rugosité moyenne arithmétique qui n'est pas supérieure à l'épaisseur du câblage métallique au niveau du point de mesure de la rugosité de surface, et l'unité de celle-ci est le µm; et Sm représente l'espacement moyen d'irrégularités de profil, qui n'est pas inférieur à 0,01 µm.
(JA) 本発明は、透明導電膜及び透明導電膜の製造方法に関する。透明導電膜は、透明基体(12)と、該透明基体(12)上に形成された金属配線部(14)とを有する透明導電膜(10)において、金属配線部(14)の電極部(18)を構成する金属細線(24)が、Ra2/Sm>0.01μmを満たす表面形状を有し、且つ、金属体積率が35%以上である。なお、Raは算術平均粗さを示し、表面粗さ測定箇所の金属配線の厚み以下であって、単位がμmである。Smは凹凸の平均間隔であって、0.01μm以上である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)