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1. (WO2014188773) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188773    International Application No.:    PCT/JP2014/058064
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 24.03.2014
IPC:
H01L 31/06 (2012.01)
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: TSUKIGATA Shintarou; (JP).
WATABE Takenori; (JP).
OTSUKA Hiroyuki; (JP)
Agent: KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Priority Data:
2013-107203 21.05.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A highly efficient bifacial solar cell which has less leakage current when a reverse bias is applied thereto is provided by a method for manufacturing a solar cell having: a step for forming a diffusion layer on the front surface of a semiconductor substrate, said diffusion layer having a conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate; a step for forming a diffusion layer on the back surface of the semiconductor substrate, said diffusion layer having the same conductivity type as the semiconductor substrate; and a step for forming a junction isolating trench, which electrically isolates the front surface and the back surface of the semiconductor substrate, by irradiating the outer peripheral portion of the diffusion layer on the front surface of a semiconductor substrate with a laser, said diffusion layer having a conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate, and removing the portion of the diffusion layer positioned inside the outer peripheral portion.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire biface hautement efficace qui possède moins de courant de fuite lorsqu'une polarisation inverse est appliquée sur celle-ci et qui est fournie par un procédé de fabrication d'une cellule solaire comprenant : une étape de formation d'une couche de diffusion sur la surface avant d'un substrat de semi-conducteur, ladite couche de diffusion ayant un type de conductivité opposé à celui du substrat de semi-conducteur ; une étape de formation d'une couche de diffusion sur la surface arrière du substrat de semi-conducteur, ladite couche de diffusion ayant le même type de conductivité que le substrat de semi-conducteur ; et une étape de formation d'une tranchée d'isolation de jonction, qui isole électriquement la surface avant et la surface arrière du substrat de semi-conducteur, par irradiation de la partie périphérique externe de la couche de diffusion sur la surface avant d'un substrat de semi-conducteur avec un laser, ladite couche de diffusion ayant un type de conductivité opposé à celui du substrat de semi-conducteur, et retrait de la partie de la couche de diffusion positionnée à l'intérieur de la partie périphérique externe.
(JA) 半導体基板の表面に該半導体基板とは逆の導電型となる拡散層を形成する工程と、上記半導体基板の裏面に該半導体基板と同一の導電型となる拡散層を形成する工程と、上記半導体基板の表面の該半導体基板とは逆の導電型の拡散層の外周縁部にレーザー照射して該拡散層の外周縁部より内側の部分を除去し、半導体基板の表面と裏面とを電気的に分離する接合分離溝を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法により、逆バイアス時のリーク電流の少ない高効率の両面受光型の太陽電池を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)