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Pub. No.:    WO/2014/188666    International Application No.:    PCT/JP2014/002382
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 01.05.2014
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: SHIMADA, Toshiro; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2013-108730 23.05.2013 JP
(JA) シリコン単結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a method for manufacturing a silicon single crystal by a HMCZ method, wherein a gas rectifier tube is disposed in a main chamber and a heat shielding member is disposed on a silicon melt surface side of the gas rectifier tube and wherein the silicon single crystal is manufactured while controlling a gas flow velocity v (m/s) and a crystal rotation R (rpm) such that the flow velocity v of gas that passes a cross-sectional area S and the crystal rotation R of the silicon single crystal to be pulled satisfy the relationship v≤-0.12R+1.52, the cross-sectional area S being composed of a lowermost end of an innermost diameter portion of the heat shielding member and a portion which is in a vertical position from the lowermost end in the silicon melt surface. Thus, by the HMCZ method, a method for manufacturing a silicon single crystal with a low oxygen concentration in which oxygen concentration is stable in a growth axis direction of the crystal is provided.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un cristal unique de silicium grâce à un procédé HMCZ, un tube de rectification de gaz étant disposé dans une chambre principale et un élément de protection thermique étant disposé sur un côté superficiel de la masse de silicium du tube de rectification de gaz et le cristal unique de silicium étant fabriqué tout en réglant une vitesse d'écoulement du gaz v (m/s) et une rotation du cristal R (tr/min) de sorte que la vitesse d'écoulement v du gaz qui passe à travers une zone transversale S et la rotation R du cristal du cristal unique de silicium à extraire satisfont la relation v ≤- 0,12R + 1,52, la section transversale S étant composée d'une extrémité la plus inférieure d'une partie du diamètre le plus interne de l'élément de protection thermique et d'une partie qui se trouve dans une position verticale depuis l'extrémité la plus inférieure dans la surface de la masse fondue de silicium. Ainsi, grâce au procédé HMCZ, l'invention porte sur un procédé de fabrication d'un cristal unique de silicium présentant une faible concentration en oxygène dans lequel la concentration en oxygène est stable dans un sens de l'axe de croissance du cristal.
(JA) 本発明は、HMCZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、メインチャンバー内にガス整流筒と、該ガス整流筒のシリコン融液面側に遮熱部材を配設し、かつ、遮熱部材の最内径部分の最下端部と、シリコン融液面において前記最下端部から垂直位置にあたる部分からなる断面積Sを通過するガスの流速v(m/s)と、引上げるシリコン単結晶の結晶回転数R(rpm)とが、v≦-0.12R+1.52の関係式を満たすように、ガスの流速vおよび結晶回転数Rを制御しつつシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。これにより、HMCZ法によって、結晶の成長軸方向において酸素濃度が安定した低酸素濃度のシリコン単結晶を製造することができる方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)