WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014188651) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188651    International Application No.:    PCT/JP2014/002062
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 10.04.2014
IPC:
H01L 27/095 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 27/098 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventors: UJITA, Shinji; .
MORITA, Tatsuo;
Agent: FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd., 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Priority Data:
2013-105797 20.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention is provided with a semiconductor layer laminate disposed upon a semiconductor substrate, first and second low-side transistors each having a gate electrode source electrode and drain electrode disposed upon the semiconductor layer laminate, and first and second high-side transistors. The second low-side transistor is disposed between the first low-side transistor and the first high-side transistor, and the first high-side transistor is disposed between the second low-side transistor and the second high-side transistor. The source electrodes of the first and second low-side transistors, and the drain electrodes of the first and second high-side transistors, are collectively source and drain electrodes, respectively, that have been shared as one electrode each, and the drain electrode of the second low-side transistor and the source electrode of the first high-side transistor are collectively a first electrode that has been shared as one electrode.
(FR)La présente invention comprend un stratifié à couche de semi-conducteur disposé sur un substrat de semi-conducteur, des premier et second transistors côté bas ayant chacun une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain disposées sur le stratifié à couche de semi-conducteur, et des premier et second transistors côté haut. Le second transistor côté bas est disposé entre le premier transistor côté bas et le premier transistor côté haut, et le premier transistor côté haut est disposé entre le second transistor côté bas et le second transistor côté haut. Les électrodes de source des premier et second transistors côté bas, et les électrodes de drain des premier et second transistors côté haut, sont collectivement des électrodes de source et de drain, respectivement, qui ont été partagées comme une électrode chacune, et l'électrode de drain du second transistor côté bas et l'électrode de source du premier transistor côté haut sont collectivement une première électrode qui a été partagée comme une électrode.
(JA)半導体基板の上に配置された半導体層積層体と、それぞれ半導体層積層体の上に配置されゲート電極ソース電極及びドレイン電極を有する第1、第2のローサイドトランジスタと、第1、第2のハイサイドトランジスタとを備える。第2のローサイドトランジスタは、第1のローサイドトランジスタとハイサイドトランジスタとの間に配置され、第1のハイサイドトランジスタは、第2のローサイドトランジスタとハイサイドトランジスタとの間に配置される。第1、第2のローサイドトランジスタのソース電極、第1、第2のハイサイドトランジスタのドレイン電極は一つの電極として共通化されていたソース電極、ドレイン電極であり、第2のローサイドトランジスタのドレイン電極と第1のハイサイドトランジスタのソース電極は一つの電極として共通化された第1の電極である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)