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1. (WO2014188570) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188570    International Application No.:    PCT/JP2013/064411
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 23.05.2013
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
YASUDA Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (US only).
KAMEYAMA Satoru [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventors: YASUDA Yoshifumi; (JP).
KAMEYAMA Satoru; (JP)
Agent: KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho,Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device has a semiconductor substrate that is provided with a main region, and a sense region for detecting a current flowing in the main region. The main region and the sense region of the semiconductor substrate have a same element structure. Furthermore, the sense region of the semiconductor substrate has: a conductive first region electrically connected to a first portion of the semiconductor device; a conductive second region electrically connected to a second portion of the semiconductor device, said second portion being different from the first portion; and an insulating film, which is disposed between the first region and the second region, and which separates the second region from the first region.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant un substrat semi-conducteur qui est muni d'une région principale et une région de détection pour détecter un courant circulant dans la région principale. La région principale et la région de détection du substrat semi-conducteur ont une même structure d'élément. En outre, la région de détection du substrat semi-conducteur présente : une première région conductrice reliée électriquement à une première partie du dispositif à semi-conducteurs ; une seconde région conductrice reliée électriquement à une seconde partie du dispositif à semi-conducteurs, ladite seconde partie étant différente de la première partie ; et un film isolant, qui est disposé entre la première région et la seconde région, et qui sépare la seconde région de la première région.
(JA) 半導体装置は、メイン領域と、メイン領域に流れる電流を検知するためのセンス領域とを備える半導体基板を有している。半導体基板のメイン領域とセンス領域は、同一の素子構造を有している。半導体基板のセンス領域は、さらに、半導体装置の第1の部位と電気的に接続される導電性の第1領域と、半導体装置の第1の部位とは異なる第2の部位と電気的に接続される導電性の第2領域と、第1領域と第2領域との間に配置され、第1領域から第2領域を隔離する絶縁膜とを有している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)