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1. (WO2014188317) AN IMPROVED MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188317    International Application No.:    PCT/IB2014/061482
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
H03H 3/007 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/24 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome Nagaokakyo-shi Kyoto 617-8555 (JP)
Inventors: IIHOLA, Antti; (FI).
KAAJAKARI, Ville; (US).
KEMPPAINEN, Jarmo; (FI).
KIVINEN, Pasi; (FI).
MOURUJÄRVI, Risto; (FI).
RINKIÖ, Marcus; (FI)
Priority Data:
13/897,591 20.05.2013 US
20135601 31.05.2013 FI
Title (EN) AN IMPROVED MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR
(FR) RESONATEUR MICROELECTROMECANIQUE AMELIORE
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing microelectromechanical flexural resonators with a deforming element that has an elongate body extending along a spring axis. A deforming element is positioned on the semiconductor wafer with a defined nominal n-type doping concentration such that a crystal orientation angle is formed between the spring axis of the deforming element and a crystal axis of the silicon semiconductor wafer. The combination of the crystal orientation angle and the nominal n-type doping concentration is adjusted to a specific range, based on total frequency error of the deforming element in a broad temperature range. The combination is optimized to a range where also sensitivity to variations in the material properties is minimized.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour fabriquer des résonateurs de flexion microélectromécaniques ayant un élément de déformation qui possède un corps allongé s’étendant le long d’un axe de ressort. Un élément de déformation est positionné sur la tranche de semi-conducteur avec une concentration de dopage de type n nominale définie de telle sorte qu’un angle d’orientation de cristal est formé entre l’axe de ressort de l’élément de déformation et un axe de cristal de la tranche de semi-conducteur au silicium. La combinaison de l’angle d’orientation de cristal et de la concentration de dopage de type n nominale est réglée à une plage spécifique, sur la base d’une erreur de fréquence totale de l’élément de déformation dans une large plage de température. La combinaison est optimisée à une plage où également une sensibilité à des variations dans les propriétés de matériau est rendue minimale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)