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1. (WO2014188296) CHIP SCALE LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE WITH DOME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188296    International Application No.:    PCT/IB2014/061198
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 05.05.2014
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventors: AKRAM, Salman; (NL).
BHARDWAJ, Jyoti Kiron; (NL)
Priority Data:
61/825,116 20.05.2013 US
Title (EN) CHIP SCALE LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE WITH DOME
(FR) BOÎTIER DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À DÔME DE LA TAILLE D'UNE PUCE
Abstract: front page image
(EN)Light Emitting Devices (LEDs) are fabricated on a wafer substrate with one or more thick metal layers that provide structural support to each LED. The streets, or lanes, between individual LEDs do not include this metal, and the wafer can be easily sliced/diced into singulated self-supporting LEDs. Because these devices are self-supporting, a separate support submount is not required. Before singulation, further processes may be applied at the wafer-level; after singulation, these self-supporting LEDs may be picked and placed upon an intermediate substrate for further processing as required. In an embodiment of this invention, protective optical domes are formed over the light emitting devices at the wafer-level or while the light emitting devices are situated on the intermediate substrate.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs électroluminescents (DEL) fabriqués sur un substrat de plaquette comprenant une ou de plusieurs couches épaisses de métal qui fournissent un support structural à chaque DEL. Les rues, ou voies, qui séparent des DEL individuelles ne comprennent pas ce métal, et la plaquette peut facilement être tranchée/découpée en cubes en DEL auto-porteuses singularisées. Du fait que ces dispositifs sont auto-porteurs, il est inutile de prévoir une embase de support distincte. Avant la singularisation, d'autres traitements peuvent être appliqués au niveau de la plaquette; après la singularisation, ces DEL auto-porteuses peuvent être prélevées et placées sur un substrat intermédiaire pour un traitement supplémentaire dans la mesure où cela s'avère nécessaire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, des dômes optiques de protection sont formés par dessus les dispositifs électroluminescents au niveau de la plaquette ou pendant que les dispositifs électroluminescents sont situés sur le substrat intermédiaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)