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1. (WO2014188257) CONTACT SENSING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/188257    International Application No.:    PCT/IB2014/000787
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 20.05.2014
Chapter 2 Demand Filed:    10.03.2015    
IPC:
H03K 17/96 (2006.01), H03K 17/975 (2006.01), H03K 17/955 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi Aichi-ken, 471-8571 (JP)
Inventors: NISHIYAMA, Shigeki; (JP)
Agent: CALVO DE NO, Rodrigo; Cabinet Beau de Loménie 158, rue de l'Université F-75340 Paris Cedex 07 (FR)
Priority Data:
2013-107001 21.05.2013 JP
Title (EN) CONTACT SENSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE CONTACT
Abstract: front page image
(EN)A contact sensing device includes: a first electrode and a second electrode facing each other, a drive detection circuit of an electrostatic capacitance type, a first switching circuit that implements switching between connection and disconnection between the first electrode and ground, and a second switching circuit that implements switching between connection and disconnection between the first electrode and the second electrode. The drive detection circuit implements switching between a first state and a second state and detects an electrostatic capacitance change in the first state and an electrostatic capacitance change in the second state.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de détection de contact comprenant : une première électrode et une seconde électrode se faisant face, un circuit de détection de commande de type à capacité électrostatique, un premier circuit de commutation qui assure une commutation de connexion et de déconnexion entre la première électrode et la masse, et un second circuit de commutation qui assure une commutation de connexion et de déconnexion entre la première électrode et la seconde électrode. Le circuit de détection de commande assure une commutation entre un premier état et un second état et détecte une variation de capacité électrostatique dans le premier état et une variation de capacité électrostatique dans le second état.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)