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1. (WO2014187939) METHOD FOR FILLING VIAS AND SUBSTRATE-VIA FILLING VACUUM PROCESSING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/187939    International Application No.:    PCT/EP2014/060620
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 23.05.2014
IPC:
C23C 14/04 (2006.01)
Applicants: OERLIKON ADVANCED TECHNOLOGIES AG [LI/LI]; Iramali 18 FL-9496 Balzers (LI)
Inventors: ELGHAZZALI, Mohamed; (AT).
WEICHART, Jürgen; (LI)
Agent: TROESCH SCHEIDEGGER WERNER AG; Jacques Troesch Schwäntenmos 14 CH-8126 Zumikon (CH)
Priority Data:
61/826,592 23.05.2013 US
Title (EN) METHOD FOR FILLING VIAS AND SUBSTRATE-VIA FILLING VACUUM PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ POUR REMPLIR DES TROUS D’INTERCONNEXION ET SYSTÈME DE TRAITEMENT SOUS VIDE DE REMPLISSAGE DE TROUS D’INTERCONNEXION
Abstract: front page image
(EN)Vias of at least approx. 1:1 aspect ratio in substrates are filled with material which exhibits a thermally driven amorphous/crystalline phase change. This is performed within a vacuum process chamber (50a). During a first timespan the material is sputter-deposited by DC sputtering from a material target (60). In a subsequent timespan a void, which may remain in the via as material covered by the addressed sputtering, is opened by means of etching performed with the help of an inductively coupled plasma generated by an Rf driven electric coil (40) and applying to the substrate (52) with the via an Rf bias.
(FR)Selon la présente invention, des trous d’interconnexion d’au moins approximativement 1:1 de facteur de forme dans des substrats sont remplis avec un matériau qui présente un changement de phase amorphe/cristallin thermiquement contrôlé. Cela est effectué avec une chambre de traitement sous vide (50a). Pendant un premier intervalle de temps, le matériau est déposé par pulvérisation par pulvérisation C.C. depuis un matériau cible (60). Dans un intervalle de temps suivant, un vide, qui peut rester dans le trou d’interconnexion en tant que matériau recouvert par la pulvérisation adressée, est ouvert au moyen d’une gravure effectuée à l’aide d’un plasma à couplage inductif généré par une bobine électrique à excitation Rf (40) et de l’application au substrat (52) avec le trou d’interconnexion d’une polarisation Rf.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)