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1. (WO2014187670) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/187670    International Application No.:    PCT/EP2014/059371
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 07.05.2014
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01L 33/22 (2010.01), G01B 11/30 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: KATZ, Simeon; (DE).
SPECHT, Holger; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2013 105 227.4 22.05.2013 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER DES PUCES SEMI-CONDUCTRICES OPTOÉLECTRONIQUES
Abstract: front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die Schritte: -Bereitstellen eines Substrats (1), -Aufbringen einer epitaktisch erzeugten Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine aktive Schicht (22) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung umfasst, -Erzeugen einer Aufrauung (3) an einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), -zumindest zeitweises Belichten der Halbleiterschichtenfolge (2) während des Erzeugens der Aufrauung mit einer Teststrahlung (T), die von mindestens einer externen Lichtquelle (4) erzeugt wird, -Auswerten einer von der Halbleiterschichtenfolge (2) kommenden Rückstrahlung (B), die auf die Teststrahlung (T) zurückgeht, und -nachfolgend Zerteilen der Halbleiterschichtenfolge (2) in eine Vielzahl der Halbleiterchips (10), wobei das Erzeugen der Aufrauung anhand des Auswerten der Teststrahlung (T) gesteuert wird.
(EN)The invention relates to at least one embodiment of method which is designed to produce optoelectronic semiconductor chips (10). The method comprises the following steps: providing a substrate (1), applying an epitaxially produced semiconductor layer sequence (2) to the substrate (1), wherein the semiconductor layer sequence (2) comprises an active layer (22) for producing electromagnetic radiation, producing roughening (3) on a top side (20) of the semiconductor layer sequence (2), exposing the semiconductor layer sequence (2) to test radiation (T) at least at times during the production of the roughening, which test radiation is produced by at least one external light source (4), evaluating back radiation (B), which comes from the semiconductor layer sequence (2) and the origin of which is the test radiation (T), and subsequently dividing the semiconductor layer sequence (2) into a plurality of the semiconductor chips (10), wherein the production of the roughening is controlled on the basis of the evaluation of the test radiation (T).
(FR)Dans au moins un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé servant à fabriquer des puces semi-conductrices optoélectroniques (10). Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : - fournir un substrat (1) ; - appliquer une succession de couches semi-conductrices (2) obtenues de manière épitactique sur le substrat (1), la succession de couches semi-conductrices (2) comprenant une couche active (22) permettant de produire un rayonnement électromagnétique ; - produire une rugosité (3) sur une face supérieure (20) de la succession de couches semi-conductrices (2) ; - exposer au moins temporairement la succession de couches semi-conductrices (2) pendant la formation de la rugosité à un rayonnement d'essai (T), lequel est produit par au moins une source de lumière externe (4) ; - évaluer une réflexion (B) provenant de la succession de couches semi-conductrices (2), laquelle est la conséquence du rayonnement d'essai (T) ; et - diviser ensuite la succession de couches semi-conductrices (2) en une pluralité de puces semi-conductrices (10), l'obtention de la rugosité étant commandée sur la base de l'évaluation du rayonnement d'essai (T).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)