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1. (WO2014187254) TRANSFORMER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/187254    International Application No.:    PCT/CN2014/077388
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 13.05.2014
IPC:
H01F 27/28 (2006.01), H01F 27/02 (2006.01)
Applicants: ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN).
SANECHIPS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Plant No. 1 Dameisha, Yantian District Shenzhen, Guangdong 518085 (CN)
Inventors: XIE, Haolv; (CN).
WU, Zhangbin; (CN)
Agent: CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 2nd Floor, Zhongguancun Intellectual Property Building, Block B, No.21 Haidian South Road, Haidian Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201310704262.1 19.12.2013 CN
Title (EN) TRANSFORMER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND CHIP
(FR) TRANSFORMATEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PUCE
(ZH) 一种变压器及其制作方法和芯片
Abstract: front page image
(EN)A transformer, a manufacturing method therefor, and a chip. The method comprises: arranging a first primary tuning capacitor and/or a first secondary tuning capacitor in a region enclosed by a primary coil and a secondary coil, the first primary tuning capacitor comprising more than one second primary tuning capacitors, and the first secondary tuning capacitor comprising more than one second secondary tuning capacitors; connecting the more than one second primary tuning capacitors in parallel, and connecting the more than one second secondary tuning capacitors in parallel; and enabling the more than one second primary tuning capacitors and connecting lines thereof, and/or the more than one second secondary tuning capacitors and connecting lines therebetween to form a local shielding network or part of the local shielding network.
(FR)L'invention concerne un transformateur, son procédé de fabrication et une puce. Le procédé consiste : à agencer un premier condensateur de réglage primaire et/ou un premier condensateur de réglage secondaire dans une zone délimitée par une bobine primaire et une bobine secondaire, le premier condensateur de réglage primaire comprenant plus d'un second condensateur de réglage primaire, et le premier condensateur de réglage secondaire comprenant plus d'un second condensateur de réglage secondaire; à connecter les plusieurs seconds condensateurs de réglage primaire en parallèle, et à connecter les plusieurs seconds condensateurs de réglage secondaire en parallèle; et à activer les plus d'un second condensateur de réglage primaire et à en connecter les lignes, et/ou à activer les plusieurs seconds condensateurs de réglage secondaire et à connecter les lignes entre eux pour former un réseau de blindage local ou une partie du réseau de blindage local.
(ZH)一种变压器及其制作方法和芯片,该方法包括:将第一初级调谐电容和/或第一次级调谐电容排布在初级线圈和次级线圈所围成的区域中;其中第一初级调谐电容包括一个以上的第二初级调谐电容,第一次级调谐电容包括一个以上的第二次级调谐电容;并联连接一个以上的第二初级调谐电容、和并联连接一个以上的第二次级调谐电容;使一个以上的第二初级调谐电容及其连线、和/或一个以上的第二次级调谐电容及其之间的连线,构成一个局部屏蔽网络或一个局部屏蔽网络的其中一部分。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)