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1. (WO2014187161) LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/187161    International Application No.:    PCT/CN2014/071060
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 22.01.2014
IPC:
H01L 33/02 (2010.01)
Applicants: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; ZHOU, Xiaoya No.1721-1725, Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventors: LIANG, Xinghua; (CN).
HSIA, Te-ling; (CN).
HSU, Chenke; (CN).
CHAO, Chih-wei; (CN).
LI, Shuiqing; (CN)
Priority Data:
201310193631.5 23.05.2013 CN
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(ZH) 发光器件及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device with less aging leakage current and high optical efficiency, and a producing method thereof. The light emitting device at least includes: a semiconductor epitaxial lamination (110, 210, 310, 410) including an N type semiconductor layer (113, 213, 313, 413), a P type semiconductor layer (111, 211, 311, 411) and a light emitting layer (112, 212, 312, 412) between the N type semiconductor layer and the P type semiconductor layer, and a defect dislocation (114, 214, 314, 414) being formed on the surface of the semiconductor epitaxial lamination; an anti-electromigration metal filled in the defect dislocation on the surface of the N type semiconductor layer and/or the surface of the P type semiconductor layer in a preprocessing mode so as to block an electromigration channel of the semiconductor epitaxial lamination caused by the defect dislocation and reduce the occurrence of leakage current.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent ayant moins de courant de fuite lié au vieillissement et une efficacité optique élevée, et un procédé de production associé. Le dispositif électroluminescent comprend au moins : une lamelle épitaxiale semi-conductrice (110, 210, 310, 410) comportant une couche semi-conductrice de type N (113, 213, 313, 413), une couche semi-conductrice de type P (111, 211, 311, 411) et une couche électroluminescente (112, 212, 312, 412) entre la couche semi-conductrice de type N et la couche semi-conductrice de type P, et une dislocation de défaut (114, 214, 314, 414) formée sur la surface de la lamelle épitaxiale semi-conductrice; un métal anti-électromigration rempli dans la dislocation de défaut sur la surface de la couche semi-conductrice de type N et/ou sur la surface de la couche semi-conductrice de type P dans un mode de prétraitement afin de bloquer un canal d'électromigration de la lamelle épitaxiale semi-conductrice engendré par la dislocation de défaut et de réduire l'apparition d'un courant de fuite.
(ZH)一种老化漏电流少、光效率高的发光器件及其制作方法。发光器件至少包括:半导体外延叠层(110,210,310,410),包含N型半导体层(113,213,313,413)、P型半导体层(111,211,311,411)以及夹在N型半导体层和P型半导体层之间的发光层(112,212,312,412),半导体外延叠层表面具有缺陷位错(114,214,314,414);抗电迀移金属,通过预处理的方式填充到N型或/和P型半导体层表面的缺陷位错内,以堵塞半导体外延叠层由于缺陷位错形成的电迀移通道,减少漏电流发生。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)