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1. (WO2014187150) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR-BASED TERAHERTZ WAVE SPACE EXTERNAL MODULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/187150    International Application No.:    PCT/CN2014/000512
Publication Date: 27.11.2014 International Filing Date: 20.05.2014
IPC:
H04B 10/90 (2013.01)
Applicants: UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN/CN]; No.2006, Xiyuandadao, HT-TECH Zone (West Zone) Chengdu, Sichuan 611731 (CN)
Inventors: ZHANG, Yaxin; (CN).
QIAO, Shen; (CN).
LIANG, Shixiong; (CN).
YANG, Ziqiang; (CN).
FENG, Zhihong; (CN)
Agent: CHENGDU HUIDI PATENT LAW OFFICE; (CN)
Priority Data:
201310187521.8 20.05.2013 CN
201310198600.9 24.05.2013 CN
Title (EN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR-BASED TERAHERTZ WAVE SPACE EXTERNAL MODULATOR
(FR) MODULATEUR SPATIAL EXTERNE D'ONDE TÉRAHERTZ À BASE DE TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE
(ZH) 基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器
Abstract: front page image
(EN)A high electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator, which relates to the technical field of electromagnetic functional devices. The modulator of the present invention comprises a semiconductor substrate (1), an epitaxial layer (2), and a modulation unit set (4). The epitaxial layer (2) is disposed on the semiconductor substrate (1). The modulation unit set, a positive voltage loading electrode (3), and a negative voltage loading electrode (5) are disposed on the epitaxial layer (2). The modulation unit set comprises at least three modulation units. Each modulation unit comprises a high electron mobility transistor and an artificial metal electromagnet resonant structure. Gates of the transistors are connected to the negative voltage loading electrode (5), and sources and drains are connected to the positive voltage loading electrode (3). For a terahertz electromagnetic wave propagating in space, the modulator can work at a normal temperature, normal pressure and non-vacuum conditions, waveguide loading is not required, and the modulator is easy to package and convenient to use.
(FR)La présente invention porte sur un modulateur spatial externe d'onde térahertz à base de transistor à haute mobilité électronique, qui concerne le domaine technique des dispositifs à fonction électromagnétique. Le modulateur de la présente invention comprend un substrat semi-conducteur (1), une couche épitaxiale (2) et un ensemble d'unités de modulation (4). La couche épitaxiale (2) est disposée sur le substrat semi-conducteur (1). L'ensemble d'unités de modulation, une électrode de charge de tension positive (3) et une électrode de charge de tension négative (5) sont disposés sur la couche épitaxiale (2). L'ensemble d'unités de modulation comprend au moins trois unités de modulation. Chaque unité de modulation comprend un transistor à haute mobilité électronique et une structure résonante électromagnétique métallique artificielle. Des grilles des transistors sont connectées à l'électrode de charge de tension négative (5), et des sources et des drains sont connectés à l'électrode de charge de tension positive (3). Pour une onde électromagnétique térahertz se propageant dans l'espace, le modulateur peut fonctionner dans des conditions normales de température et de pression et non sous vide, une charge de guide d'onde n'est pas requise, et le modulateur est facile à conditionner et commode à utiliser.
(ZH)基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器,属于电磁功能器件技术领域,本发明包括半导体衬底1、外延层2、调制单元组4,外延层2设置于半导体衬底1上,在外延层2上设置有调制单元、正电压加载电极3和负电压加载电极5;所述调制单元组包括至少3个调制单元;所述调制单元包括高电子迁移率晶体管和人工金属电磁谐振结构,各晶体管的栅极连接到负电压加载电极5,源极和漏极连接到正电压加载电极3。本发明针对空间传播太赫兹电磁波,可工作于常温、常压、非真空条件下,无需加载波导,易于封装、方便使用。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)