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1. (WO2014186776) CHARGE PUMP-BASED CIRCUITRY FOR BJT POWER SUPPLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/186776    International Application No.:    PCT/US2014/038507
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/68 (2006.01)
Applicants: CIRRUS LOGIC, INC. [US/US]; 800 W. 6th Street Austin, TX 78701 (US)
Inventors: MELANSON, John, L.; (US).
ZANBAGHI, Ramin; (US).
CHOI, Jieyeon; (US).
AZRAI, Firas; (US).
SINGH, Rahul; (US).
MARU, Siddharth; (US)
Agent: SMITH, Darren; Fulbright & Jaworski LLP 98 San Jacinto Boulevard Suite 1100 Austin, TX 78701-4255 (US)
Priority Data:
61/825,275 20.05.2013 US
61/825,266 20.05.2013 US
61/824,725 17.05.2013 US
Title (EN) CHARGE PUMP-BASED CIRCUITRY FOR BJT POWER SUPPLY
(FR) CIRCUIT À POMPE DE CHARGE POUR L'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE PAR UN TRANSISTOR À JONCTIONS BIPOLAIRES (BJT)
Abstract: front page image
(EN)A bipolar junction transistor (BJT) may be used to generate a supply voltage for operating a controller, such as a lighting controller for a LED-based light bulb. A base of the BJT may receive current generated from the supply voltage to control operation of the BJT. Although the base of the BJT would be at a lower voltage than the emitter, a base drive circuit may be coupled between the emitter and the base of the BJT to increase the voltage. As one example, the base drive circuit may be a charge pump. In another example, the BJT may function as its own charge pump. In yet another example, a positive and a negative base current of the BJT may be independently controlled to regulate an output supply voltage VDD from the BJT.
(FR)Selon l'invention, un transistor à jonctions bipolaires (BJT) peut être utilisé pour générer une tension d'alimentation servant à faire fonctionner une unité de commande, telle qu'une unité de commande d'éclairage pour une lampe d'éclairage à base de DEL. La base du BJT peut recevoir du courant généré par la tension d'alimentation pour commander le fonctionnement du BJT. Bien que la base du BJT soit à une tension inférieure à celle de l'émetteur, un circuit d'attaque de la base peut être couplé entre l'émetteur et la base du BJT pour élever la tension. Par exemple, le circuit d'attaque de base peut être une pompe de charge. Dans un autre exemple, le BJT peut fonctionner en tant que sa propre pompe de charge. Dans encore un autre exemple, un courant de base positif et négatif du BJT peut être commandé indépendamment pour régler la tension d'alimentation de sortie VDD issue du BJT.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)