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1. (WO2014186731) INTEGRATED MULTI-COLOR LIGHT EMITTING DEVICE MADE WITH HYBRID CRYSTAL STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/186731    International Application No.:    PCT/US2014/038437
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
H01L 21/36 (2006.01)
Applicants: UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE ADMINISTRATOR OF THE NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION [US/US]; 300 E. Street SW Washington, DC 20546 (US)
Inventors: PARK, Yeonjoon; (US).
CHOI, Sang, H.; (US)
Agent: EDWARDS, Robin, W.; Nasa Langley Research Center Office of Chief Counsel, Mail Stop 30 Hampton, VA 23681-2199 (US)
Priority Data:
61/824,017 16.05.2013 US
14/279,614 16.05.2014 US
Title (EN) INTEGRATED MULTI-COLOR LIGHT EMITTING DEVICE MADE WITH HYBRID CRYSTAL STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT MULTICOLORE INTÉGRÉ COMPORTANT UNE STRUCTURE CRISTALLINE HYBRIDE
Abstract: front page image
(EN)An integrated hybrid crystal Light Emitting Diode ("LED") display device that may emit red, green, and blue colors on a single wafer. The various embodiments may provide double-sided hetero crystal growth with hexagonal wurtzite Ill-Nitride compound semiconductor on one side of (0001) c-plane sapphire media and cubic zinc-blended III-V or Il-VI compound semiconductor on the opposite side of c-plane sapphire media. The c- plane sapphire media may be a bulk single crystalline c-plane sapphire wafer, a thin free standing c-plane sapphire layer, or crack-and-bonded c-plane sapphire layer on any substrate. The bandgap energies and lattice constants of the compound semiconductor alloys may be changed by mixing different amounts of ingredients of the same group into the compound semiconductor. The bandgap energy and lattice constant may be engineered by changing the alloy composition within the cubic group IV, group III-V, and group II-VI semiconductors and within the hexagonal Ill-Nitrides.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif d'affichage à diodes électroluminescentes ("LED") intégré comportant un cristal hybride et pouvant émettre les couleurs rouge, verte et bleue sur une seule tranche. Selon les différents modes de réalisation de la présente invention, une croissance hétéro-cristalline double face peut être obtenue à l'aide d'un semi-conducteur composé hexagonal à base de nitrure III de wurtzite sur une face d'un support saphir dans le plan c (0001), et d'un semi-conducteur composé cubique de type III-V ou II-VI à base de blende de zinc sur la face opposée du support saphir dans le plan c. Le support saphir dans le plan c peut être une tranche non épitaxiée de saphir dans le plan c monocristallin, une couche mince et libre de saphir dans le plan c, ou une couche fissurée et liée de saphir dans le plan c sur un substrat. Les énergies de bande interdite et les paramètres cristallins des alliages semi-conducteurs composés peuvent être modifiés grâce au mélange de différentes quantités d'ingrédients du même groupe dans le semi-conducteur composé. L'énergie de bande interdite et le paramètre cristallin peuvent être modifiés grâce au changement de la composition de l'alliage dans les semi-conducteurs cubiques du groupe IV, du groupe III-V et du groupe II-VI, ainsi que dans les nitrures III hexagonaux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)