WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014185951) ULTRA-RESPONSIVE PHASE SHIFTERS FOR DEPLETION MODE SILICON MODULATORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185951    International Application No.:    PCT/US2013/066134
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 22.10.2013
IPC:
G02F 1/025 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: CORIANT ADVANCED TECHNOLOGY LLC [US/US]; 171 Madison Avenue, Suite 1100 New York, New York 10016 (US).
LIU, Yang [CN/US]; (US) (US only).
BAEHR-JONES, Tom [US/US]; (US) (US only)
Inventors: LIU, Yang; (US).
BAEHR-JONES, Tom; (US)
Agent: RUDISILL, Stephen, G.; NIXON PEABODY LLP 70 W. Madison, Suite 3500 Chicago, Illinois 60602 (US)
Priority Data:
61/823,344 14.05.2013 US
Title (EN) ULTRA-RESPONSIVE PHASE SHIFTERS FOR DEPLETION MODE SILICON MODULATORS
(FR) DÉPHASEURS ULTRA-RÉACTIFS POUR MODULATEURS AU SILICIUM EN MODE APPAUVRISSEMENT
Abstract: front page image
(EN)A novel phase shifter design for carrier depletion based silicon modulators, based on an experimentally validated model, is described. It is believed that the heretofore neglected effect of incomplete ionization will have a significant impact on ultra-responsive phase shifters. A low VnL product of 0.3V. cm associated with a low propagation loss of 20 dB/cm is expected to be observed. The phase shifter is based on overlapping implantation steps, where the doses and energies are carefully chosen to utilize counter-doping to produce an S-shaped junction. This junction has a particularly attractive VnL figure of merit, while simultaneously achieving attractively low capacitance and optical loss. This improvement will enable significantly smaller Mach-Zehnder modulators to be constructed that nonetheless would have low drive voltages, with substantial decreases in insertion loss. The described fabrication process is of minimal complexity; in particular, no high-resolution lithographic step is required.
(FR)L'invention concerne une nouvelle conception de déphaseur destinée à des modulateurs au silicium basés sur l'appauvrissement en porteurs, et basée sur un modèle validé expérimentalement. L'effet, jusqu'ici négligé, d'une ionisation incomplète devrait avoir un impact significatif sur des déphaseurs ultra-réactifs. Il est prévu d'observer un faible produit VnL de 0,3V.cm, associé à une faible perte par propagation de 20 dB/cm. Le déphaseur est basé sur des étapes d'implantation en chevauchement, où les doses et les énergies sont soigneusement choisies de façon à employer un contre-dopage pour produire une jonction en forme de S. Cette jonction présente un facteur de mérite VnL particulièrement intéressant, tout en réalisant simultanément une capacitance et des pertes optiques assez faibles pour être intéressantes. Cette amélioration permettra de construire des modulateurs de Mach-Zehnder nettement plus petits, néanmoins caractérisés par de faibles tensions d'attaque, avec des diminutions substantielles de l'affaiblissement d'insertion. Le processus de réalisation décrit est d'une complexité minime; en particulier, aucune étape lithographique à haute résolution n'est nécessaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)