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1. (WO2014185767) QUASI-OMNIDIRECTIONAL ANTI-REFLECTING STRUCTURE FOR INFRARED AND NEAR INFRARED RANGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185767    International Application No.:    PCT/MX2014/000071
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
G02B 1/11 (2015.01), H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), H01L 31/0376 (2006.01), H01L 33/44 (2010.01)
Applicants: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS [MX/MX]; Av. Universidad 1001 Colonia Chamilpa C.P. 62209 Cuernavaca, Morelos (MX)
Inventors: AGARWAL, Vivechana; (MX).
ARIZA FLORES, Augusto David; (MX).
PEREZ HUERTA, José Samuel; (MX).
KUMAR, Yogesh; (MX)
Agent: URQUIZA BELTRAN, Gustavo; Av. Universidad 1001 Colonia Chamilpa C.P. 62209 Cuernavaca, Morelos (MX)
Priority Data:
MX/a/2013/005576 17.05.2013 MX
Title (EN) QUASI-OMNIDIRECTIONAL ANTI-REFLECTING STRUCTURE FOR INFRARED AND NEAR INFRARED RANGE
(ES) ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO
(FR) STRUCTURE ANTIREFLET QUASI OMNIDIRECTIONNELLE BASÉE SUR DES COUCHES DIÉLECTRIQUES MULTIPLES DE SILICIUM POREUX POUR LA ZONE ULTRAVIOLETTE MOYENNE, VISIBLE ET INFRAROUGE PROCHE DU SPECTRE ÉLECTROMAGNÉTIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an antireflective structure based on porous silicon multilayers stacked in a one-dimensional manner. This layer can reflect less than 4% of incident light at any angle, i.e. it is not dependent on the position in which it is oriented. This is achieved for a wavelength range from 200 nm to 2000 nm and with a total physical thickness of only 510 nm. The structure comprises 51 layers having gradual porosity values ranging from 92 to 38 %. The length of each layer is constant and equal to 10 nm and the profile of the refractive index varies by means of a monotonically increasing envelope function of the form f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, with z the depth of the layer. The device is made using electrochemical anodization in an electrolytic solution of hydrofluoric acid and ethanol, attacking silicon wafers in a galvanostatic manner in a controlled interface.
(ES)Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n0+(nF-n0)(z/L)k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
(FR)L'invention concerne une structure antireflet basée sur des couches diélectriques multiples de silicium poreux empilées de manière unidimensionnelle. Cette couche permet de réfléchir moins de 4% de la lumière incidente selon n'importe quel angle à savoir que cette propriété ne dépend pas de la position dans laquelle elle est orientée. Cela s'effectue pour une gamme de longueurs d'ondes qui vont de 200 nm à 2000 nm et seulement avec une épaisseur physique totale de 510 nm. La structure comprend 51 couches à porosité graduelle qui vont de 92 à 38%. La longueur de chaque couche est constante et égale à 10 nm et le profil de l'indice de réfraction varie grâce à une fonction enveloppante qui croît de manière monotone de la manière suivante: f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, , z représentant la profondeur de la couche. Le dispositif a été fabriqué au moyen du procédé d'anodisation électrochimique dans une solution électrolytique d'acide fluorhydrique et d'éthanol, attaquant des tranches de silicium de forme galvanostatique dans une interface contrôlée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Spanish (ES)
Filing Language: Spanish (ES)