WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014185356) PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185356    International Application No.:    PCT/JP2014/062489
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/054 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: WATAHIKI, Tatsuro; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2013-102448 14.05.2013 JP
Title (EN) PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ELÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This photovoltaic element is provided with: an amorphous semiconductor film of a first conductivity type (an n-type amorphous silicon layer (5)) on a surface of an n-type single crystal silicon substrate (1) serving as a semiconductor substrate, said surface being on the reverse side of the light incident surface; a first conductive semiconductor film (a first indium oxide layer (9)) having a low carrier concentration on the amorphous semiconductor; and a second conductive semiconductor film (a second indium oxide layer (10)) having a high carrier concentration on the first conductive semiconductor film. Insulating fine particles (8) are contained in the first conductive semiconductor film having a low carrier concentration. Consequently, adsorption at the conductive semiconductor films does not occur and no loss is caused even if light is scattered and the optical path length is increased. In addition, a good balance is achieved between suppression of infrared absorption and increase of the optical path length by means of effective scattering, so that a high conversion efficiency can be achieved without causing deterioration in the electrical characteristics even if a thin semiconductor substrate of 100 μm or less is used.
(FR)Cet élément photovoltaïque est doté de : un film semi-conducteur amorphe d'un premier type de conductivité (une couche de silicium amorphe de type n (5)) sur une surface d'un substrat de silicium monocristallin de type n (1) servant comme substrat semi-conducteur, ladite surface étant sur le côté opposé de la surface d'incidence de lumière; un premier film semi-conducteur conducteur (une première couche d'oxyde d'indium (9)) ayant une faible concentration de support sur le semi-conducteur amorphe; et un second film semi-conducteur conducteur (une seconde couche d'oxyde d'indium (10)) ayant une concentration élevée de support sur le premier film semi-conducteur conducteur. Des particules fines isolantes (8) sont contenues dans le premier film semi-conducteur conducteur ayant une faible concentration de support. En conséquence, l'adsorption sur le film semi-conducteur conducteur n'a pas lieu et aucune perte n'est provoquée même si la lumière est diffusée et que la longueur du trajet optique est augmentée. De plus, un bon équilibre est atteint entre la suppression d'absorption infrarouge et l'augmentation de la longueur du trajet optique au moyen de diffusion efficace, de telle sorte qu'une efficacité de conversion élevée peut être obtenue sans provoquer de détérioration des caractéristiques électriques même si un substrat semi-conducteur mince de 100 µm au moins est utilisé.
(JA) 半導体基板としてのn型単結晶シリコン基板1の光入射面とは反対側の面に、第1導電型非晶質半導体膜(n型非晶質シリコン層5)上にキャリア濃度の低い第1の導電性半導体膜(第1の酸化インジウム層9)、その上にキャリア濃度の高い第2の導電性半導体膜(第2の酸化インジウム層10)を備え、キャリア濃度の低い第1の導電性半導体膜中に絶縁性微粒子8を備える。これにより、光を散乱させ光路長を伸ばしても、導電性半導体膜での吸収が起きずに損失がなく、赤外吸収の抑制及び効果的な散乱による光路長の増大の両立が実現され、電気的特性の劣化を招くことなく、100μm以下の薄型半導体基板においても高い変換効率を得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)