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1. (WO2014185351) PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185351    International Application No.:    PCT/JP2014/062470
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: KITAGAITO, Keiji; (JP).
KOBAYASHI, Fumiya; (JP).
TOMURA, Maju; (JP)
Agent: ITOH, Tadashige; (JP)
Priority Data:
2013-102969 15.05.2013 JP
Title (EN) PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA ET DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a plasma etching method for plasma etching a body to be processed that includes a film to be etched and a patterned mask. The plasma etching method has a first step in which the film to be etched is plasma-etched using the mask, and a second step in which, by means of a plasma of a gas containing silicon, a film containing silicon is deposited on at least part of the side wall portions of the film to be etched that was etched in the first step.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure au plasma permettant la gravure au plasma d'un corps à traiter qui comprend un film à graver et un masque à motifs. Le procédé de gravure au plasma comprend une première étape dans laquelle le film à graver est gravé au plasma à l'aide du masque, et une seconde étape dans laquelle, au moyen d'un plasma d'un gaz contenant du silicium, un film contenant du silicium est déposé sur au moins une partie des portions de paroi latérales du film à graver qui a été gravé dans la première étape.
(JA) エッチング対象膜及びパターニングされたマスクを含む被処理体をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記マスクを用いて前記エッチング対象膜をプラズマエッチングする第1の工程と、前記第1の工程によってエッチングされた前記エッチング対象膜の側壁部の少なくとも一部に、シリコン含有ガスのプラズマによってシリコン含有膜を堆積させる第2の工程と、を有する、プラズマエッチング方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)