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1. (WO2014185281) VIBRATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185281    International Application No.:    PCT/JP2014/062079
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 01.05.2014
IPC:
H03H 9/24 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: NISHIMURA, Toshio; (JP).
HASE, Takashi; (JP).
TAKEYAMA, Keisuke; (JP).
KAIDA, Hiroaki; (JP).
UMEDA, Keiichi; (JP).
KISHI, Takehiko; (JP).
YAMADA, Hiroshi; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2013-101300 13.05.2013 JP
Title (EN) VIBRATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF VIBRANT
(JA) 振動装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a vibrating device which is capable of further reducing the absolute value of the temperature coefficient of frequency (TCF). A vibrating device (1) in which a plurality of tuning fork tines (3 to 5) extending in the Y-direction are arranged in parallel in the X-direction on a base (2), the tuning fork tines (3 to 5) are provided with a configuration in which a silicon oxide layer (12) is layered upon a Si layer (11) which is a degenerate semiconductor and an excitation section (13) is provided upon the silicon oxide layer (12), and the thickness ratio T2/(T1+T2) is in the range of (-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05 when the total thickness of the Si layer (11) is T1, the total thickness of the silicon oxide layer (12) is T2, and the temperature coefficient of frequency (TCF) when a silicon oxide layer (12) is not provided on the Si layer (11) is x.
(FR)L'invention concerne un dispositif vibrant permettant de réduire davantage la valeur absolue du coefficient de température d'une fréquence (TCF). L'invention concerne un dispositif vibrant (1) dans lequel plusieurs dents de diapason (3-5) s'étendant dans la direction Y sont disposées en parallèle dans la direction X sur une base (2), lesquelles dents de diapason (3-5) ont une configuration dans laquelle une couche d'oxyde de silicium (12) est stratifiée sur une couche de Si (11) qui est un semi-conducteur dégénéré, tandis qu'une section d'excitation (13) est formée sur la couche d'oxyde de silicium (12), le rapport d'épaisseur T2/(T1+T2) se situant dans une plage de (-0,0002x2-0,0136x+0,0014)±0,05 lorsque l'épaisseur totale de la couche de si (11) est T1, l'épaisseur totale de la couche d'oxyde de silicium (12) est T2, et le coefficient de température de fréquence (TCF) en l'absence de couche d'oxyde de silicium (12) sur la couche de Si (11) est x.
(JA) 周波数温度係数TCFの絶対値をより一層小さくし得る振動装置を提供する。 基部2に、Y方向に延びる複数本の音叉腕3~5がX方向に並列されており、音叉腕3~5が、縮退半導体であるSi層11上に酸化ケイ素層12が積層されており、酸化ケイ素層12上に励振部13が設けられている構造を有し、Si層11の厚みの総和をT1、酸化ケイ素層12の厚みの総和をT2とし、Si層11に酸化ケイ素層12が設けられていない場合の周波数温度係数TCFをxとしたとき、厚み比T2/(T1+T2)が、(-0.0002x-0.0136x+0.0014)±0.05の範囲内とされている、振動装置1。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)