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1. (WO2014185192) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185192    International Application No.:    PCT/JP2014/060156
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 08.04.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: SAKAI, Mitsuhiko; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2013-103955 16.05.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM ET UN MODULE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET MODULE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 炭化珪素半導体装置および半導体モジュールの製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置および半導体モジュール
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device is provided with: a step in which a silicon carbide substrate (20) is prepared; a step in which a plurality of element sections (80) are formed on the silicon carbide substrate (20); a step in which a first groove section (90) is formed between the plurality of element sections (80); a step in which the breakdown voltage of the element sections (80) is measured; and a step in which, after the step in which the breakdown voltage of the element sections (80) is measured, the plurality of element sections (80) are separated within the first groove section (90).
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium, ledit procédé comprenant : une étape au cours de laquelle un substrat en carbure de silicium (20) est préparé ; une étape au cours de laquelle une pluralité de sections d'élément (80) sont formées sur le substrat en carbure de silicium (20) ; une étape au cours de laquelle une première section de rainure (90) est formée entre la pluralité de sections d'élément (80) ; une étape au cours de laquelle la tension de claquage des sections d'élément (80) est mesurée ; et une étape au cours de laquelle, après l'étape au cours de laquelle la tension de claquage des sections d'élément (80) est mesurée, la pluralité de sections d'élément (80) sont séparées dans la première section de rainure (90).
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板(20)を準備する工程と、炭化珪素基板(20)上に複数の素子部(80)を形成する工程と、複数の素子部(80)の間に第1溝部(90)を形成する工程と、素子部(80)の耐圧を測定する工程と、素子部(80)の耐圧を測定する工程の後、第1溝部(90)の内部において複数の素子部(80)を分離する工程とを備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)