WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014185086) FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185086    International Application No.:    PCT/JP2014/051222
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 22.01.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: KAMIMUTA, Yuuichi; (JP).
MORIYAMA, Yoshihiko; (JP)
Agent: KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 6th floor, Kangin-Fujiya Bldg. 1-3-2, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2013-102017 14.05.2013 JP
Title (EN) FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界効果型半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A field-effect semiconductor device having a Ge channel and a SiGe source/drain region. The field-effect semiconductor device is provided with a semiconductor layer (10), a gate insulating film (20), a gate electrode (31), a source/drain region (60), a Ge layer (63), and a wiring layer (72). The semiconductor layer (10) includes Ge. The gate electrode (31) is provided on the semiconductor layer (10) with the gate insulating film (20) interposed therebetween. The source/drain region (60) is provided on the semiconductor layer (10) on either side of the channel region under the gate electrode (31), and comprises Sii-xGex (0
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur à effet de champ ayant un canal à base de Ge et une région de source/drain à base de SiGe. Le dispositif à semi-conducteur à effet de champ est équipé d'une couche semi-conductrice (10), d'un film isolant de grille (20), d'une électrode de grille (31), d'une région de source/drain (60), d'une couche de Ge (63), et d'une couche de câblage (72). La couche semi-conductrice (10) comprend du Ge. L'électrode de grille (31) est prévue sur la couche semi-conductrice (10), le film isolant de grille (20) étant intercalé entre celles-ci. La région de source/drain (60) est prévue sur la couche semi-conductrice (10) de chaque côté de la région de canal sous l'électrode de grille (31), et comprend Sii-xGex (0 < x < 1) afin d'appliquer un effort de traction à la région de canal. La couche de Ge (63) est formée sur la région de source/drain (60). La couche de câblage (72) est en contact avec la couche de Ge (63).
(JA) GeチャネルとSiGeのソース・ドレイン領域を有する電界効果型半導体装置である。電界効果型半導体装置は、半導体層(10)、ゲート絶縁膜(20)、ゲート電極(31)、ソース・ドレイン領域(60)、Ge層(63)、及び配線層(72)を備える。半導体層(10)はGeを含む。ゲート電極(31)は、半導体層(10)上にゲート絶縁膜(20)を介して設けられている。ソース・ドレイン領域(60)は、ゲート電極(31)下のチャネル領域を挟んで半導体層(10)に設けられ、チャネル領域に引っ張り歪みを付与するためのSi1-x Gex(0<x<1)からなる。Ge層(63)は、ソース・ドレイン領域(60)上に形成されている。配線層(72)は、Ge層(63)にコンタクトされている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)