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1. (WO2014185038) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185038    International Application No.:    PCT/JP2014/002451
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 08.05.2014
IPC:
G06F 12/06 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01), G06F 12/02 (2006.01)
Applicants: CHUO UNIVERSITY [JP/JP]; 742-1, Higashi-nakano, Hachioji-shi, Tokyo 1920393 (JP)
Inventors: TAKEUCHI, Ken; (JP).
HACHIYA, Shogo; (JP).
JOHGUCHI, Koh; (JP).
MIYAJI, Kosuke; (JP).
OKAMOTO, Shun; (JP)
Agent: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2013-105093 17.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(JA) 半導体記憶装置およびその制御方法
Abstract: front page image
(EN)An objective of the present invention is to improve characteristics such as write speed, using a plurality of types of memory with different characteristics. A semiconductor storage device according to the present invention comprises: a first memory (102) whereto data is written in first write units; a second memory (104) whereto data is written in second write units which are greater than the first write units; and a control unit (106) which controls the writing of the data to the first memory (102) and the second memory (104). The control unit (106) sorts, in the first memory (102), frozen data which is data not accessed for overwriting in a prescribed interval, and writes the frozen data in the second write units to the second memory (104).
(FR)La présente invention concerne l'amélioration des caractéristiques, telles que la vitesse d'écriture, à l'aide de plusieurs types de mémoire présentant des caractéristiques différentes. Un dispositif de stockage à semi-conducteurs selon la présente invention comprend : une première mémoire (102) sur laquelle des données sont écrites dans des premières unités d'écriture ; une seconde mémoire (104) sur laquelle des données sont écrites dans des secondes unités d'écriture qui sont plus grandes que les premières unités d'écriture ; et une unité de commande (106) qui commande l'écriture de données dans la première mémoire (102) et la seconde mémoire (104). L'unité de commande (106) trie, dans la première mémoire (102), les données figées qui sont des données non accessibles à l'écrasement dans un intervalle prédéfini, et écrit les données figées dans les secondes unités d'écriture sur la seconde mémoire (104).
(JA) 特性が異なる複数の種類のメモリを用いて、書き込み速度などの特性を向上させる。 本発明に係る半導体記憶装置は、第1の書き込み単位でデータが書き込まれる第1メモリ102と、第1の書き込み単位より大きい第2の書き込み単位でデータが書き込まれる第2メモリ104と、第1メモリ102および第2メモリ104へのデータの書き込みを制御する制御部106とを備え、制御部106は、第1メモリ102内において所定の期間上書き対象としてアクセスされていないデータであるフローズンデータを選別し、フローズンデータを第2の書き込み単位で第2メモリ104に書き込む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)