WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014185023) METHOD FOR FORMING EPOXY-BASED PLANARIZATION LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185023    International Application No.:    PCT/JP2014/002338
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 25.04.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: NISHIMURA, Karen; .
STECKER, Lisa; .
AFENTAKIS, Themistokles; .
ULMER, Kurt;
Agent: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Priority Data:
13/893,110 13.05.2013 US
Title (EN) METHOD FOR FORMING EPOXY-BASED PLANARIZATION LAYER
(FR) PROCEDE POUR FORMER UNE COUCHE DE PLANARISATION A BASE D'EPOXY
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for forming an epoxy-based planarization layer overlying an organic semiconductor (OSC) film. Generally, the method forms a fluoropolymer passivation layer overlying the OSC layer. A photopatternable adhesion layer is formed overlying the fluoropolymer passivation layer, and patterned. A photopatternable planarization layer, comprising an epoxy-based organic resin, is formed overlying the photopatternable adhesion layer and patterned to expose the fluoropolymer passivation layer. Then, the fluoropolymer passivation layer is plasma etched to expose the OSC layer. More explicitly, the method can be used to fabricate a bottom gate or top gate organic thin-film transistor (OTFT). Top gate and bottom gate OTFT devices are also provided.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour former une couche de planarisation à base d’époxy recouvrant un film de semi-conducteur organique (OSC). Généralement, le procédé met en forme une couche de passivation de polymère fluoré recouvrant la couche OSC. Une couche d’adhésion à motifs formés par photoexposition est formée en recouvrant la couche de passivation de polymère fluoré, et modélisée. Une couche de planarisation à motifs formés par photoexposition, comprenant une résine organique à base d’époxy, est formée en recouvrant la couche d’adhésion à motifs formés par photoexposition et modélisée pour présenter la couche de passivation de polymère fluoré. Ensuite, la couche de passivation de polymère fluoré est gravée par plasma pour présenter la couche OSC. Plus explicitement, le procédé peut être utilisé pour fabriquer un transistor en couches minces organique (OTFT) à grille inférieure ou grille supérieure. Des dispositifs OTFT à grille supérieure et grille inférieure sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)