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1. (WO2014185008) METHOD FOR DOUBLE-SIDED POLISHING OF WAFER, AND DOUBLE-SIDED-POLISHING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/185008    International Application No.:    PCT/JP2014/002176
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 17.04.2014
IPC:
B24B 37/013 (2012.01), B24B 37/08 (2012.01), G01B 11/06 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: AOKI, Kazuaki; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2013-104316 16.05.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR DOUBLE-SIDED POLISHING OF WAFER, AND DOUBLE-SIDED-POLISHING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ AINSI QUE SYSTÈME DE POLISSAGE BIFACE POUR TRANCHE
(JA) ウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム
Abstract: front page image
(EN)The present invention is: a method for double-sided polishing of a wafer using a plurality of double-sided-polishing devices for polishing both sides of a wafer simultaneously while holding a wafer retained in a carrier between upper and lower surface plates to which a polishing cloth is affixed, causing the carrier to rotate and revolve, supplying a polishing agent, and measuring the thickness of the wafer by a light reflection interference method using a variable-wavelength infrared laser, the method for double-sided polishing of a wafer being characterized by measuring the thickness of the wafer while radiating the variable-wavelength infrared lasers used by each of the plurality of double-sided-polishing devices so that the double-sided-polishing device to be irradiated from a single laser light source is switched, and double-sided polishing is performed until the wafer attains a target thickness; and a double-sided-polishing system. By this invention, in double-sided polishing that is performed while measuring the thickness of a wafer using a variable-wavelength infrared laser, equipment cost can be reduced without decreasing the precision of measurement of the thickness of the wafer, particularly for wafers having low resistivity.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à polir les deux faces d'une tranche par mise en œuvre d'une pluralité de dispositifs de polissage biface pour tranche dans lesquels la tranche maintenue par un support, est enserrée entre des plaques de surface inférieure et supérieure sur lesquelles est installé un tissu de polissage, le support est mis en rotation et révolution, une alimentation en agent de polissage est effectuée, et simultanément à la mesure de l'épaisseur de la tranche selon une interférométrie de réflexion lumineuse mettant en œuvre un laser infrarouge à longueur d'onde variable, les deux faces de la tranche sont polies en même temps. Plus précisément, l'invention concerne un procédé et un système de polissage biface pour tranche caractéristiques en ce que le laser infrarouge à longueur d'onde variable mis en œuvre par chacun des dispositifs de polissage biface pour tranche, mesure l'épaisseur de la tranche tout en commutant le dispositif de polissage biface pour tranche destinataire de l'irradiation, en l'irradiant à l'aide d'une seule source de faisceau laser, et la tranche est ainsi polie sur ses deux faces jusqu'à une épaisseur cible. Par conséquent, selon ce polissage biface effectué tout en mesurant l'épaisseur de la tranche à l'aide du laser infrarouge à longueur d'onde variable, il est possible de réduire le coût de l'équipement sans baisse de précision de la mesure de l'épaisseur de tranches dont la résistivité est particulièrement petite.
(JA) 本発明は、キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながらウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いてウェーハを両面研磨する方法であって、複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる波長可変赤外線レーザーを、1つのレーザー光源から照射先の両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながらウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システムである。これにより、波長可変赤外線レーザーを用いてウェーハの厚さを測定しながら行う両面研磨において、特に抵抗率の小さいウェーハの厚さ測定の精度を低下することなく、設備コストの低減が可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)