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1. (WO2014184988) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/184988    International Application No.:    PCT/JP2014/000855
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 19.02.2014
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventors: KABE, Tatsuya; .
ARAI, Hideyuki;
Agent: MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2013-104276 16.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device provided with: a first substrate (101) having a first surface layer (113) that includes a first electrode (132) and a second electrode (133); a second substrate (102) having a second surface layer (123) that includes a third electrode (142) and a fourth electrode (143), the second substrate (102) being directly bonded to the first substrate (101) so that the second surface layer (123) is kept in contact with the first surface layer (113); and a functional membrane (103) provided between the second electrode (133) and the fourth electrode (143). The first electrode (132) and the third electrode (142) are bonded so as to be in contact with each other, and a passive element is composed of the second electrode (133), the functional membrane (103), and the fourth electrode (143).
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un premier substrat (101) possédant une première couche de surface (113) qui contient une première électrode (132) et une deuxième électrode (133) ; un deuxième substrat (102) possédant une deuxième couche de surface (123) qui contient une troisième électrode (142) et une quatrième électrode (143), le deuxième substrat (102) étant collé directement au premier substrat (101) afin que la deuxième couche de surface (123) soit maintenue en contact avec la première couche de surface (113) ; et une membrane fonctionnelle (103) disposée entre la deuxième électrode (133) et la quatrième électrode (143). La première électrode (132) et la troisième électrode (142) sont collées de façon à être en contact l’une avec l’autre, et un élément passif est composé de la deuxième électrode (133), de la membrane fonctionnelle (103) et de la quatrième électrode (143).
(JA) 半導体装置は、第1電極132及び第2電極133を含む第1表面層113を有する第1の基板101と、第3電極142及び第4電極143を含む第2表面層123とを有し、第2表面層123を第1表面層113と接するようにして、第1の基板101と直接接合された第2の基板102と、第2電極133と第4電極143との間に設けられた機能性膜103とを備えている。第1電極132と第3電極142とは互いに接して接合されており、第2電極133、機能性膜103及び第4電極143により受動素子が構成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)