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1. (WO2014184982) SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/184982    International Application No.:    PCT/JP2013/083974
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 18.12.2013
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: YAMARIN, Hiroya; (JP).
SATO, Takehiko; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2013-104382 16.05.2013 JP
Title (EN) SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION S'Y RAPPORTANT ET MODULE DE CELLULES SOLAIRES
(JA) 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
Abstract: front page image
(EN)A solar cell is characterized as follows: From among a first principal surface and a second principal surface, at least the first principal surface has a light-transmissive insulating resin layer above a conductive amorphous semiconductor film layer, said light-transmissive insulating resin layer having an opening portion, at least part of which passes through in the thickness direction from the surface. A collector electrode is a plated electrode mechanically and electrically connected to the layer located directly below and buried in the opening portion along the inner shape of the opening portion. At at least part of the collector electrode in an extending direction, the width-direction end position of a portion contacting the layer located directly below is located outside the width-direction end position on the front surface side of the light-transmissive insulating resin layer, thereby forming the width of a connection portion connected to the layer located directly below to be wider than the width on the front surface side of the light-transmissive insulating resin layer. In the opening portion, the area of the connection portion is larger than the sectional area in the surface direction of a conductive crystal-based semiconductor substrate, excluding the connection portion.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire qui est caractérisée comme suit : parmi une première surface principale et une seconde surface principale, au moins la première surface principale présente une couche de résine isolante à transmission lumineuse au-dessus d'une couche conductrice de film semi-conducteur amorphe, ladite couche de résine isolante à transmission lumineuse ayant une portion d'ouverture dont au moins une partie est traversante dans la direction de l'épaisseur à partir de la surface. Une électrode collectrice est une électrode plaquée connectée mécaniquement et électriquement à la couche située directement au-dessous et enterrée dans la portion d'ouverture le long de la forme intérieure de celle-ci. Sur au moins une partie de l'électrode collectrice dans une direction d'extension, la position terminale dans la direction de la largeur d'une portion en contact avec la couche située directement au-dessous est situé en dehors de la position terminale dans la direction de la largeur du côté de la surface frontale de la couche de résine isolante à transmission lumineuse, rendant ainsi la largeur d'une portion de connexion connectée à la couche située directement au-dessous plus large que la largeur du côté de la surface frontale de la couche de résine isolante à transmission lumineuse. Dans la portion d'ouverture, l'aire de la portion de connexion est plus grande que l'aire de la section dans la direction de la surface d'un substrat semi-conducteur à base de cristaux conducteurs, en excluant la portion de connexion.
(JA) 第1主面および第2主面のうち少なくとも第1主面において、少なくとも一部が表面から厚み方向に貫通する開口部を有する透光性絶縁樹脂層を導電型非晶質半導体膜層の上層に有し、集電極は、直下の層に機械的および電気的に接続して開口部内の形状に沿って開口部内に埋設されたメッキ電極であり、集電極の延在方向における少なくとも一部で、直下の層に接触する部分の幅方向の端部位置が透光性絶縁樹脂層の表面側の幅方向の端部位置よりも外側に位置して直下の層との接続部分の幅が透光性絶縁樹脂層の表面側の幅よりも幅広とされ、開口部内における接続部分の面積が、接続部分以外の導電型結晶系半導体基板の面方向における断面積よりも広い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)