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1. (WO2014184825) METHOD FOR TREATING INNER WALL SURFACE OF EMPTY MICROCHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/184825    International Application No.:    PCT/JP2013/003108
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 15.05.2013
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B08B 3/04 (2006.01), B08B 3/10 (2006.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventors: SAKAI, Takeshi; (JP).
YOSHIDA, Tatsuro; (JP).
HIRATSUKA, Ryosuke; (JP).
ISHIKAWA, Syun; (JP)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR TREATING INNER WALL SURFACE OF EMPTY MICROCHAMBER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DE LA PAROI INTERNE DE MICROCHAMBRE VIDE
(JA) マイクロ空室の内壁面処理方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for treating the inner wall surface of a hole that makes it possible to reliably perform etching and cleaning even when a hole that is provided to a substrate to be treated is, for example, a narrow and deep hole. A substrate (100) comprises a surface to which a treatment liquid (106) is applied and an empty microchamber (104) that is within the substrate (100) and that has an opening (110) on the surface. The aspect ratio (l/r) of the empty microchamber (104) is 5 or more, or the aspect ratio is less than 5 and V/S (V is the volume of the empty microchamber and S is the area of the opening) is 3 or more. The substrate (100) is installed in a treatment space. Next, the interior of the empty microchamber (104) is exposed to an environment for the formation of a silicon oxide film and a silicon oxide film (201) is formed on the inner wall surface of the empty microchamber (104). The treatment liquid (106) is subsequently introduced to the treatment space and the inner wall surface of the empty microchamber (104) is treated.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de surface de la paroi interne d'une cavité. Ce procédé rend possible l'attaque chimique et le nettoyage, même lorsque la cavité d'un substrat à traiter est, par exemple, étroite et profonde. Le substrat (100) comprend une surface sur laquelle est appliqué un liquide de traitement (106) et une microchambre vide (104) au sein du substrat (100), ladite microchambre comportant une ouverture (110) à sa surface. Le rapport de forme (l/r) de la microchambre vide (104) est de 5 ou plus, ou le rapport de forme est inférieur à 5 et le rapport V/S (V étant le volume de la microchambre vide et S la surface de l'ouverture) est de 3 ou plus. Le substrat (100) est installé dans un espace de traitement. Ensuite, l'intérieur de la microchambre vide (104) est exposé à un environnement permettant la formation d'un film d'oxyde de silicium et ledit film d'oxyde de silicium (201) se forme sur la surface de la paroi interne de la microchambre vide (104). Le liquide de traitement (106) est alors introduit dans l'espace de traitement et la surface de la paroi interne de la microchambre vide (104) est traitée.
(JA) 被処理基体に設けたホールが譬え細く深いホールであっても、エッチングや洗浄を確実に行うことが出来るホール内壁面処理方法を提供する。処理液(106)が付与される表面と該表面に開口(110)を有するマイクロ空室(104)を内部に有し、マイクロ空室(104)のアスペクト比(l/r)が5以上かまたはアスペクト比が5未満でかつV/S(V: マイクロ空室の容積、S:開口の面積)が3以上である基体(100)を処理空間に設置する。次いで、マイクロ空室(104)の内部を酸化シリコン膜形成用の環境に晒してマイクロ空室(104)の内壁表面に酸化シリコン膜(201)を形成する。その後処理空間に処理液(106)を導入してマイクロ空室(104)の内壁面を処理する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)