WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014184714) IMAGING DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/184714    International Application No.:    PCT/IB2014/061263
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 07.05.2014
IPC:
G01T 1/20 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/3745 (2011.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventors: CHAPPO, Marc Anthony; (NL)
Agent: STEFFEN, Thomas; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
61/824,020 16.05.2013 US
Title (EN) IMAGING DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR D'IMAGERIE
Abstract: front page image
(EN)Asilicon imaging detector tile (216) includes a silicon photosensor layer (302) including a plurality of detector pixels (304), each with a photo-transistor (406),and a silicon electronics layer (314), coupled to the silicon photosensor layer, including a current-to- frequency converter and bias control (404) for each of the plurality of photo-transistor. A method includes sensing, with a photo-transistor of a detector pixel of a silicon photosensor layer of an imaging detector and in an absence of x-ray radiation,a dark current, regulating, with bias control, an amount of the dark current transmitted to a current-to-frequency converter of a silicon electronics layer coupled to the silicon photosensor layer, and converting, with the current-to-frequency converter, the amount of the dark current transmitted to the current-to-frequency converter.
(FR)L'invention concerne un pavé de détection (216) d'imagerie qui comprend une couche photosensible (302) à base de silicium comprenant une pluralité de pixels de détection (304), chaque pixel ayant un phototransistor (406), et une couche de composants électroniques (314) à base de silicium couplée à la couche photosensible à base de silicium, comportant un convertisseur courant/fréquence et une commande de polarisation (404) pour chacun des phototransistors. Un procédé consiste à détecter un courant d'obscurité au moyen d'un phototransistor d'un pixel de détection d'une couche photosensible à base de silicium d'un détecteur d'imagerie et en l'absence de rayons X, à réguler, avec une commande de polarisation, la quantité de courant d'obscurité transmise à un convertisseur courant/fréquence d'une couche de composants électroniques à base de silicium couplée à la couche photosensible à base de silicium, et à convertir, au moyen du convertisseur courant/fréquence, la quantité de courant d'obscurité transmise au convertisseur courant/fréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)