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1. (WO2014184023) WAFER HAVING A VIA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/184023    International Application No.:    PCT/EP2014/059052
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 05.05.2014
IPC:
H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: HANSEN, Uwe; (DE).
SCHULER-WATKINS, Sebastian; (DE)
Priority Data:
10 2013 208 827.2 14.05.2013 DE
Title (DE) WAFER MIT EINER DURCHKONTAKTIERUNG
(EN) WAFER HAVING A VIA
(FR) TRANCHE POURVUE D'UN TROU MÉTALLISÉ DÉBOUCHANT
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Wafer mit einer Durchkontaktierung vorgeschlagen, wobei der Wafer eine Haupterstreckungsebene aufweist und der Wafer (2) zur Durchkontaktierung eine vom Wafer umschlossene Leiterbahn (3) umfasst, wobei die Leiterbahn eine erste Kontaktstelle (4) an einer ersten Seitenfläche des Wafers leitend mit einer zweiten Kontaktstelle (5) an der ersten Seitenfläche und/oder an einer der ersten gegenüberliegenden zweiten Seitenoberfläche verbindet, wobei die Leiterbahn in einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Richtung formschlüssig mit dem Wafer verbunden ist.
(EN)The invention relates to a wafer having a via, said wafer comprising a main plane of extension and a conductor path (3) surrounded by the wafer (2) for the via. Said conductor path conductively connects a first contact point (4) on a first surface of the wafer to a second contact point (5) on the first surface and/or on a second surface lying opposite the first surface. Said conductor path is form-locked with the wafer in a direction running perpendicular to the main plane of extension.
(FR)L'invention concerne une tranche pourvue d'un trou métallisé débouchant, la tranche (2) présentant un plan d'étendue principale et comprenant, pour obtenir le trou métallisé débouchant, un tracé conducteur (3) entouré par la tranche. Le tracé conducteur relie de manière conductrice un premier point de contact (4) situé sur une première surface latérale de la tranche à un deuxième point de contact (5) situé sur la première surface latérale et/ou sur une deuxième surface latérale opposée à la première, le tracé conducteur étant relié par complémentarité de forme à la tranche dans une direction s'étendant perpendiculairement au plan d'étendue principale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)