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1. (WO2014183943) SIO2-BASED BARRIER LAYER FOR HIGH TEMPERATURE DIFFUSION AND COATING PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183943    International Application No.:    PCT/EP2014/057584
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 15.04.2014
IPC:
H01L 21/687 (2006.01)
Applicants: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Quarzstrasse 8 63450 Hanau (DE).
SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; Shinjuku San-Ei Bldg. 22-2, Nishi-Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo (JP) (JP only)
Inventors: SCHENK, Christian; (DE).
NIELSEN, Nils; (DE).
SCHEICH, Gerrit; (DE)
Priority Data:
10 2013 208 799.3 14.05.2013 DE
Title (DE) SIO2-BASIERTE SPERRSCHICHT FÜR HOCHTEMPERATUR-DIFFUSIONS- UND BESCHICHTUNGSPROZESSE
(EN) SIO2-BASED BARRIER LAYER FOR HIGH TEMPERATURE DIFFUSION AND COATING PROCESSES
(FR) COUCHE DE BLOCAGE À BASE DE SIO2 POUR PROCESSUS DE REVÊTEMENT ET DE DIFFUSION À HAUTE TEMPÉRATURE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Modifizierung von Halbleitern mit korrosiven Prozessgasen oder zur Beschichtung von Gegenständen aus Silizium, Keramik, Glas oder Graphit oder zur Herstellung von Silizium, umfassend Bauteile mit Quarzglasbasiskörpern, die mit einer Siliziumdioxidschicht beschichtet sind, die eine höhere Porosität als die des Quarzglases aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitern, zur Beschichtung von Gegenständen aus Glas, Silizium, Keramik oder Graphit sowie zur Herstellung von Silizium, bei dem die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Einsatz kommt. Darüber hinaus betrifft die Erfindung die Verwendung einer amorphen Siliziumdioxidschicht auf einem Quarzglasbasiskörper zur Verringerung der Korrosion durch Prozessgase.
(EN)The invention relates to a device for modifying semi-conductors using corrosive process gases or for coating objects consisting of silicon, ceramics, glass or graphite, or for producing silicon, said device comprising components which have fused quartz base elements coated with a silicon dioxide layer that has a higher porosity than that of the fused quartz. The invention also relates to a method for doping and coating semi-conductors, for coating objects consisting of glass, silicon, ceramics or graphite, and for producing silicon, in which the claimed device is used. The invention additionally relates to the use of an amorphous silicon dioxide layer on a fused quartz base element for the purpose of reducing corrosion as a result of process gases.
(FR)L'invention concerne un dispositif destiné à modifier des semi-conducteurs au moyen de gaz de processus corrosifs ou à revêtir des objets en silicium, en céramique, en verre ou en graphite, ou à produire du silicium. Ledit dispositif comprend des composants dont le corps de base est en silice et qui sont revêtus d'une couche de dioxyde de silicium dont la porosité est supérieure à celle de la silice. En outre, l'invention concerne un procédé de dopage et de revêtement de semi-conducteurs, de revêtement d'objets en verre, en silicium, en céramique, ou en graphite, ainsi que de production de silicium, dans lequel on utilise le dispositif de l'invention. En outre, l'invention concerne l'utilisation d'une couche de dioxyde de silicium amorphe sur un corps de base en silice afin de réduire la corrosion par des gaz de processus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)