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1. (WO2014183897) MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183897    International Application No.:    PCT/EP2014/054643
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 11.03.2014
IPC:
H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: QU, Ning; (DE).
TRAUTMANN, Achim; (DE).
GRIEB, Michael; (DE)
Priority Data:
10 2013 209 256.3 17.05.2013 DE
Title (DE) MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À MOS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Erfindungsgemäß werden ein Substrat für einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor zur Verfügung gestellt. Das Substrat umfasst: eine n-dotierte epitaktische Driftzone (10), eine auf der Driftzone angeordnete p--dotierte epitaktische erste Schicht (20), eine auf der ersten Schicht angeordnete hoch n-dotierte zweite Schicht (20) und einen durch p+-Implantation gebildeten Anschluss (41), wobei die erste Schicht (20) in elektrischem Kontakt mit dem Anschluss (41) steht und lateral zwischen dem Anschluss (41) und einem Graben angeordnet ist, wobei der Graben in der Driftzone, in derersten Schicht (20) und in der zweiten Schicht (30) gebildet ist. Das Substrat ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Implantationstiefe (P) der p+-Implantation mindestens so groß ist wie eine Tiefe des Grabens. Die tiefe p+-Implantation kann benachbarte Gräben so separieren, dass ein Feld nicht mehr an ein Gate-Oxid angreifen kann, da es um das Gate-Oxid herumgeleitet wird.
(EN)The invention relates to a substrate for a metal-oxide-semiconductor-field-effect transistor and a metal-oxide-semiconductor-field-effect transistor. The substrate comprises an n-doped epitactical drift zone (10) and a p--doped epitactical first layer (20) arranged on the drift zone, a highly n-doped second layer (20) arranged on the first layer and a connection (41) formed by p+ implantation, wherein the first layer (20) is in electrical contact with the connection (41) and arranged laterally between the connection (41) and a trench, wherein the trench is formed in the drift zone, in the first layer (20) and in the second layer (30). The substrate is characterized in that an implantation depth (P) of the p+ implantation is at least as high as a depth of the trench. The deep p+ implantation can separate adjacent trenches in such a way that a field cannot engage a gate oxide any longer because the field is directed around the gate oxide.
(FR)L'invention concerne un substrat pour un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique. Le substrat comprend: une zone de dérive (10) épitaxiale dopée n, une première couche (20) épitaxiale dopée p disposée sur la zone de dérive, une deuxième couche (20) hautement dopée n disposée sur la première couche et un raccordement (41) formé par implantation p+, la première couche (20) étant en contact électrique avec le raccordement (41) et étant disposée latéralement entre le raccordement (41) et une tranchée, la tranchée étant formée dans la zone de dérive, dans la première couche (20) et dans la deuxième couche (30). Le substrat est caractérisé en ce que la profondeur (P) de l'implantation p+ est au moins aussi grande qu'une profondeur de la tranchée. La profonde implantation P+ peut séparer des tranchées voisines de manière qu'un champ ne puisse plus entrer en contact avec un oxyde de grille étant donné qu'il est guidé autour de l'oxyde de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)