WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014183675) FILLING STRUCTURE OF DEEP GROOVE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND FILLING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183675    International Application No.:    PCT/CN2014/077700
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
B81C 99/00 (2010.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: DAI, Dan; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA I.P.LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201310187402.2 17.05.2013 CN
Title (EN) FILLING STRUCTURE OF DEEP GROOVE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND FILLING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE REMPLISSAGE DE RAINURE PROFONDE DANS UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, ET SON PROCEDE DE REMPLISSAGE
(ZH) 半导体器件中深槽的填充结构及其填充方法
Abstract: front page image
(EN)A filling method for a deep groove in a semiconductor device comprises the following steps: etching a silicon substrate to form a groove structure (21); depositing a first oxidization layer (22) on a bottom portion and a side wall of the groove structure; depositing an amorphous silicon layer (24) on the surface of the first oxidization layer; and depositing a second oxidization layer (26) on the surface of the amorphous silicon layer. Also disclosed is a filling structure of a deep groove in a semiconductor device.
(FR)L'invention porte sur un procédé de remplissage pour une rainure profonde dans un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend les étapes suivantes : la gravure d'un substrat de silicium pour former une structure de rainure (21) ; le dépôt d'une première couche d'oxydation (22) sur une partie inférieure et une paroi latérale de la structure de rainure ; le dépôt d'une couche de silicium amorphe (24) sur la surface de la première couche d'oxydation ; et le dépôt d'une seconde couche d'oxydation (26) sur la surface de la couche de silicium amorphe. L'invention porte également sur une structure de remplissage d'une rainure profonde dans un dispositif à semi-conducteurs.
(ZH)一种半导体器件中深槽的填充方法,包括下列步骤:对硅衬底进行刻蚀,形成沟槽结构(21);在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层(22);在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层(24);在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层(26)。还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)