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1. (WO2014183669) LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183669    International Application No.:    PCT/CN2014/077681
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 16.05.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: ZHANG, Shu; (CN).
HAN, Guangtao; (CN).
SUN, Guipeng; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA I.P. LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201310186628.0 16.05.2013 CN
Title (EN) LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE MÉTAL À DIFFUSION LATÉRALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a manufacturing method for a laterally diffused metal oxide semiconductor device, comprising the following steps: growing an oxide layer on a substrate of a wafer (S210); coating a photoresist on the surface of the wafer (S220); performing photoetching by using a first photoetching mask, and exposing a first implantation window after development (S230); performing ion implantation via the first implantation window to form a drift region in the substrate (S240); coating one layer of photoresist on the surface of the wafer again after removing the photoresist (S250); performing photoetching by using the photoetching mask of the oxide layer of the drift region (S260); and etching the oxide layer to form the oxide layer of the drift region (S270). Further provided is a laterally diffused metal oxide semiconductor device.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur d'oxyde de métal à diffusion latérale comprenant les étapes suivantes : croissance d'une couche d'oxyde sur un substrat d'une tranche (S210) ; dépôt de résine photosensible sur la surface de la tranche (S220) ; réalisation d'une photogravure à l'aide d'un premier masque de photogravure et exposition d'une première fenêtre d'implantation après développement (S230) ; réalisation de l'implantation ionique au moyen de la première fenêtre d'implantation pour former une région de dérive dans le substrat (S240) ; dépôt d'une autre couche de photorésine sur la surface de la tranche après l'enlèvement de la résine photosensible (S250) ; réalisation d'une photogravure à l'aide du masque de photogravure de la couche d'oxyde de la région de dérive (S260) ; et gravure de la couche d'oxyde pour former la couche d'oxyde de la région de dérive (S270). La présente invention concerne en outre un dispositif semi-conducteur d'oxyde de métal à diffusion latérale.
(ZH)提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法,包括下列步骤:在晶圆的衬底上生长氧化层(S210);在晶圆表面涂覆光刻胶(S220);使用第一光刻掩模版进行光刻,显影后露出第一注入窗口(S230);通过第一注入窗口进行离子注入,在衬底内形成漂移区(S240);去胶后再次于晶圆表面涂覆一层光刻胶(S250);使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻(S260);对氧化层进行刻蚀,形成漂移区氧化层(S270)。还提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)