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1. (WO2014183426) LAYOUT STRUCTURE, AND DARK PIXEL STRUCTURE AND FORMING METHOD OF SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183426    International Application No.:    PCT/CN2013/088926
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 10.12.2013
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: SHANGHAI IC R&D CENTER CO., LTD. [CN/CN]; No.497 Gaosi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Pudong Shanghai 201210 (CN)
Inventors: GU, Xueqiang; (CN).
ZHOU, Wei; (CN).
ZHANG, Xiangli; (CN)
Agent: SHANGHAI TIANCHEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 3302 Tower 1, No. 388 Zhongjiang Road, Putuo Shanghai 200062 (CN)
Priority Data:
201310177580.7 14.05.2013 CN
Title (EN) LAYOUT STRUCTURE, AND DARK PIXEL STRUCTURE AND FORMING METHOD OF SAME
(FR) STRUCTURE DE TOPOLOGIE, ET STRUCTURE DE PIXEL SOMBRE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(ZH) 一种版图结构、暗像素结构及其形成方法
Abstract: front page image
(EN)A layout structure, and a dark pixel structure and a forming method of same. The dark pixel structure comprises: a contact hole (2) at each of the two sides at the upper side of a photosensitive device (1), a first metal layer (2) above the contact hole (2), a through hole (4) above the first metal layer (3), and a second metal layer (5) above the through hole (4). The second metal layer (5) comprises a pad layer (51), a through slot (6) filled with metal is disposed above the pad layer (51) of the second metal layer (5), a top metal layer (7) with a groove (8) is disposed above the through slot (6), and the through slot (6) is located around the lower side of the groove (8). The bottom of the through slot (6) is blocked by the pad layer (51), and as the metal is filed in the through slot (6)and the material of the pad layer (51) is also metal, the light passing through the groove (8) into the through slot (6) is blocked by the through slot (6) and the pad layer (51) of the second metal layer (5); in this way, the incident light cannot enter the photosensitive device (1), thereby forming the light-tight dark pixel.
(FR)L'invention concerne une structure de topologie, et une structure de pixel sombre et son procédé de formation. La structure de pixel sombre comprend : un trou de contact (2) de chacun des deux côtés du côté supérieur d'un dispositif photosensible (1), une première couche de métal (2) au-dessus du trou de contact (2), un trou traversant (4) au-dessus de la première couche de métal (3) et une seconde couche de métal (5) au-dessus du trou traversant (4). La seconde couche de métal (5) comprend une couche de pastille (51), une fente traversante (6) remplie de métal est disposée au-dessus de la couche de pastille (51) de la seconde couche de métal (5), une couche de métal supérieure (7) avec un sillon (8) est disposée au-dessus de la fente traversante (6), et la fente traversante (6) est située autour du côté inférieur du sillon (8). Le fond de la fente traversante (6) est bloqué par la couche de pastille (51) et comme la fente traversante (6) est remplie de métal et que le matériau de la couche de pastille (51) est aussi en métal, la lumière traversant le sillon (8) dans la fente traversante (6) est bloquée par la fente traversante (6) et la couche de pastille (51) de la seconde couche de métal (5); de cette manière, la lumière incidente ne peut pas entrer dans le dispositif photosensible (1), formant ainsi un pixel sombre étanche à la lumière.
(ZH)一种版图结构、暗像素结构及其形成方法,该暗像素结构包括位于感光器件(1)的上方两侧的接触孔(2),位于接触孔(2)上方的第一金属层(3),位于第一金属层(3)上方的通孔(4),以及通孔(4)上方的第二金属层(5),第二金属层(5)含有衬垫层(51),在第二金属层(5)的衬垫层(51)上方设有填充有金属的通孔槽(6),在通孔槽(6)的上方设有带有开槽(8)的顶层金属层(7),通孔槽(6)位于开槽(8)的下方的四周。通过衬垫层(51)将通孔槽(6)的底部挡住,由于通孔槽(6)内填充有金属以及衬垫层(51)材料为金属,穿过开槽(8)进入通孔槽(6)的光线被通孔槽(6)和第二金属层(5)的衬垫层(51)挡住,入射光不能进入感光器件(1),从而形成不漏光的暗像素。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)