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1. (WO2014183367) ORGANIC RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND PREPARATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183367    International Application No.:    PCT/CN2013/084764
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 30.09.2013
IPC:
H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No. 5 Yiheyuan Road, Haidian District Beijing 100871 (CN)
Inventors: CAI, Yimao; (CN).
LIU, Yefan; (CN).
BAI, Wenliang; (CN).
WANG, Zongwei; (CN).
FANG, Yichen; (CN).
HUANG, Ru; (CN)
Agent: CHINABLE IP; 620 Room, 35-10-2, the 6th floor, No.35 Anding Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Priority Data:
201310174160.3 13.05.2013 CN
Title (EN) ORGANIC RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND PREPARATION METHOD
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种有机阻变存储器及制备方法
Abstract: front page image
(EN)An organic resistive random access memory and a preparation method therefor. In the device, silicon is used as a substrate, a device unit is of an MIM compactor structure and of an upper-and-lower layered structure, a top electrode of the MIM structure is Al, a bottom electrode is ITO, and a middle functional layer is parylene. The parylene of the functional layer is deposited many times, one Al2O3 ALD deposition is carried out between every two parylene depositions, a weak region favorable for formation of an electricity-conductive channel is formed by controlling the deposition area of the Al2O3, so as to control electrical properties of the device. In a case in which the basic structure of the device is not changed, consistency of repeated operations on a device and consistency between different devices are effectively improved.
(FR)La présente invention concerne une mémoire vive résistive organique et son procédé de préparation. Dans le dispositif, le silicium est utilisé comme substrat, une unité de dispositif est constituée d'une structure de compacteur MIM et d'une structure en couches supérieure et inférieure, une électrode supérieure de la structure MIM est en Al, une électrode inférieure est en ITO et une couche fonctionnelle intermédiaire est en parylène. Le parylène de la couche fonctionnelle est déposé de nombreuses fois, un dépôt ALD d'Al2O3 est réalisé entre chaque dépôt de parylène, une région faible favorable à la formation d'un canal conducteur électrique est formée par le contrôle de la zone de dépôt de l'Al2O3, de manière à contrôler les propriétés électriques du dispositif. Dans le cas où la structure de base du dispositif n'est pas modifiée, la cohérence des opérations répétées sur un dispositif et la cohérence entre des dispositifs différents sont efficacement améliorées.
(ZH)一种有机阻变存储器及其制备方法,该器件以硅为衬底,器件单元为MIM电容结构,采用上下层状结构,该MIM结构的顶电极为Al,底电极为ΙΤΟ,中间功能层为聚对二甲苯,其特征是,功能层的聚对二甲苯分多次进行淀积,每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Αl2O3的ALD淀积,通过控制Αl2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域,从而控制器件的电学特性。在不改变器件基本结构的条件下,有效地提高了器件重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)