WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014183311) CMOS IMAGE SENSOR, PIXEL UNIT AND CONTROL METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/183311    International Application No.:    PCT/CN2013/076909
Publication Date: 20.11.2014 International Filing Date: 07.06.2013
IPC:
H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: BRIGATES MICROELECTRONICS (KUNSHAN) CO., LTD. [CN/CN]; Room 508-511, Building A, Modern Plaza No.18 Weiye Road KunShan Development Zone, Jiangsu 215300 (CN)
Inventors: LUO, Wenzhe; (CN).
WANG, Lin; (CN).
WANG, Li; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201310183417.1 17.05.2013 CN
Title (EN) CMOS IMAGE SENSOR, PIXEL UNIT AND CONTROL METHOD THEREOF
(FR) CAPTEUR D'IMAGE CMOS, UNITÉ DE PIXEL ET PROCÉDÉ DE COMMANDE ASSOCIÉ
(ZH) CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法
Abstract: front page image
(EN)A CMOS image sensor, a pixel unit and a control method thereof. The pixel unit comprises a photoelectric conversion unit, an isolation transistor, a storage unit and a reading unit. A first end of the isolation transistor is connected to the photoelectric conversion unit. A second end of the isolation transistor is connected to the storage unit and the reading unit. The storage unit comprises a first switch unit, a second switch unit, a first storage capacitor, a second storage capacitor and a reset unit. A first end of the first switch unit is connected to the first storage capacitor. A first end of the second switch unit is connected to the second storage capacitor. A second end of the first switch unit is connected to a second end of the second switch unit and the reading unit. The reset unit is suit for providing a reset voltage for the first storage capacitor and the second storage capacitor. The pixel unit of the CMOS image sensor provided in the technical scheme of the present invention improves a signal-to-noise ratio of image signals generated by the pixel unit.
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image CMOS, une unité de pixel et un procédé de commande associé. L'unité de pixel comprend une unité de conversion photoélectrique, un transistor d'isolation, une unité de mémorisation et une unité de lecture. Une première extrémité du transistor d'isolation est connectée à l'unité de conversion photoélectrique. Une seconde extrémité du transistor d'isolation est connectée à l'unité de mémorisation et à l'unité de lecture. L'unité de mémorisation comprend une première unité de commutation, une seconde unité de commutation, un premier condensateur de stockage, un second condensateur de stockage et une unité de réinitialisation. Une première extrémité de la première unité de commutation est connectée au premier condensateur de stockage. Une première extrémité de la seconde unité de commutation est connectée au second condensateur de stockage. Une seconde extrémité de la première unité de commutation est connectée à une seconde extrémité de la seconde unité de commutation et à l'unité de lecture. L'unité de réinitialisation est destinée à fournir une tension de réinitialisation au premier condensateur de stockage et au second condensateur de stockage. L'unité de pixel du capteur d'image CMOS fourni dans le schéma technique de la présente invention améliore un rapport signal sur bruit de signaux d'image générés par l'unité de pixel.
(ZH)一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法,所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元,所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元;所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元,所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容,所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容,所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元,所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元,提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)