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1. (WO2014182592) METHODS FOR ETCHING A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/182592    International Application No.:    PCT/US2014/036742
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 05.05.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LIU, Tong; (US).
REYLAND, David; (US).
MISHRA, Rohit; (US).
SIRAJUDDIN, Khalid Mohiuddin; (US).
YALAMANCHILI, Madhava Rao; (US).
KUMAR, Ajay; (US)
Agent: TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702 (US)
Priority Data:
61/821,464 09.05.2013 US
13/938,186 09.07.2013 US
Title (EN) METHODS FOR ETCHING A SUBSTRATE
(FR) PROCEDES POUR GRAVER UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)In some embodiments, a method for etching features into a substrate may include exposing a substrate having a photoresist layer disposed atop the substrate to a first process gas to form a polymer containing layer atop sidewalls and a bottom of a feature formed in the photoresist layer, wherein the first process gas is selectively provided to a first area of the substrate via a first set of gas nozzles disposed within a process chamber and; exposing the substrate to a second process gas having substantially no oxygen to etch the feature into the substrate, wherein the second process gas is selectively provided to a second area of the substrate via a second set of gas nozzles disposed in the process chamber.
(FR)Certains modes de réalisation de l'invention portent sur un procédé pour graver des éléments dans un substrat, qui peut comprendre la soumission d'un substrat ayant une couche de résine photosensible disposée au sommet du substrat à l’action d’un premier gaz de traitement pour former une couche contenant un polymère au sommet de parois latérales et un fond d'un élément formé dans la couche de résine photosensible, le premier gaz de traitement étant sélectivement fourni à une première zone du substrat par l'intermédiaire d'un premier ensemble de buses de gaz disposées dans une chambre de traitement et ; la soumission du substrat à l'action d'un second gaz de traitement ayant sensiblement aucun oxygène pour graver l'élément dans le substrat, le second gaz de traitement étant sélectivement fourni à une seconde zone du substrat par l'intermédiaire d'un second ensemble de buses de gaz disposées dans la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)