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1. (WO2014182535) THREE-DIMENSIONAL (3D) ELECTRODE ARCHITECTURE FOR A MICROBATTERY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/182535    International Application No.:    PCT/US2014/036322
Publication Date: 13.11.2014 International Filing Date: 01.05.2014
IPC:
H01M 10/02 (2006.01), H01M 4/02 (2006.01), H01M 6/40 (2006.01)
Applicants: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building 506 S. Wright Urbana, IL 61801 (US)
Inventors: LEWIS, Jennifer; (US).
DILLON, Shen; (US).
SUN, Ke; (US).
AHN, Bok, Yeop; (US).
WEI, Teng-Sing; (US)
Agent: RITTNER, Mindy, N.; Brinks Gilson & Lione P.O. Box 10087 Chicago, IL 60610 (US)
Priority Data:
61/822,024 10.05.2013 US
Title (EN) THREE-DIMENSIONAL (3D) ELECTRODE ARCHITECTURE FOR A MICROBATTERY
(FR) ARCHITECTURE D'ÉLECTRODE TRIDIMENSIONNELLE (3D) POUR MICROPILE
Abstract: front page image
(EN)A three-dimensional (3D) electrode architecture for a microbattery includes an anode structure comprising one or more anode digits and a cathode structure comprising one or more cathode digits, the anode digits being positioned alternately with the cathode digits in an interdigitated configuration on a substrate, where each of the anode digits has a width wa and each of the cathode digits has a width wc. Each of the anode digits comprises an anode material deposited on a first current collector and extending to a height ha above the first current collector, and each of the cathode digits comprises a cathode material deposited on a second current collector and extending to a height hc above the second current collector. A height-to-width aspect ratio ha/wa of the anode structure and a height-to-width aspect ratio hc/wc of the cathode structure are at least about 2.
(FR)L'invention concerne une architecture d'électrode tridimensionnelle (3D) pour une micropile qui comprend une structure d'anode comprenant un ou plusieurs chiffres d'anode et une structure de cathode comprenant un ou plusieurs chiffres de cathode, les chiffres d'anode étant positionnés en alternance avec les chiffres de cathode suivant une configuration interdigitée sur un substrat, chacun des chiffres d'anode ayant une largeur w a et chacun des chiffres de cathode ayant une largeur w c . Chacun des chiffres d'anode comprend une matière d'anode déposée sur un premier collecteur de courant et s'étendant sur une hauteur h a au-dessus du premier collecteur de courant, et chacun des chiffres de cathode comprend une matière de cathode déposée sur un second collecteur de courant et s'étendant sur une hauteur h c au-dessus du second collecteur de courant. Le rapport hauteur/largeur h a /w a de la structure d'anode et le rapport hauteur/largeur h c /w c de la structure de cathode sont au moins d'environ 2.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)